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IETGENRAD1403-V高頻標準電容器  IETGENRAD1403-V高頻標準電容器  IETGENRAD1403-V高頻標準電容器

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因為端子被布置成直接插入橋的未知端子 當頻率為1 pF時,電容變化小于0.01%,1 pF為2 MHz,1000 pF為200 kHz,為驗證1 kHz以外的LCR電表和橋梁提供了理想的標準 介電損耗是不可檢測的,這意味著DF和tan Delta基本上為零;在直接電容場中沒有固體介電 它們都有屏蔽端子,它們都與外殼絕緣因為端子被布置成直因為端子被布置成直接插入橋的未知端子 當頻率為1 pF時,電容變化小于0.01%,1 pF為2 MHz,1000 pF為200 kHz,為驗證1 kHz以外的LCR電表和橋梁提供了理想的標準 介電損耗是不可檢測的,這意味著DF和tan Delta基本上為零;在直接電容場中沒有固體介電 它們都有屏蔽端子,它們都與外殼絕緣接插入橋的未知端子 當頻率為1 pF時,電容變化小于0.01%,1 pF為2 MHz,1000 pF為200 kHz,為驗證1 kHz以外的LCR電表和橋梁提供了理想的標準 介電損耗是不可檢測的,這意味著DF和tan Delta基本上為零;在直接電容場中沒有固體介電 它們都有屏蔽端子,它們都與外殼絕緣