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晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)SYS-101-ITSM用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過載能力，
主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波。
產(chǎn)品分類品牌分類
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)SYS-101-ITSM產(chǎn)品簡(jiǎn)介
浪涌電流測(cè)試范圍：500A—6000A
浪涌電流底寬： 8-10mS
正反向重復(fù)峰值電壓測(cè)試范圍：200V—2000V
配有示波器供觀看伏安特性曲線波形
測(cè)試方法符合國標(biāo)，用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過載能力，
主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波。
控制回路采用單片機(jī)控制，所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。
是晶閘管和整流二極管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的設(shè)備。
晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)SYS-101-ITSM技術(shù)指標(biāo)：
1．ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。
2．ITSM測(cè)試范圍：500A—6000A，分辨率10A，精度±5%，數(shù)字表顯示。
3．VRM測(cè)試范圍：200V—2000V，分辨率10V，精度±5%，數(shù)字表顯示。
4．測(cè)試頻率：?jiǎn)未巍?br />5．設(shè)備配有示波器供觀看反向伏安特性波形。產(chǎn)品簡(jiǎn)介
浪涌電流測(cè)試范圍：500A—6000A
浪涌電流底寬： 8-10mS
正反向重復(fù)峰值電壓測(cè)試范圍：200V—2000V
配有示波器供觀看伏安特性曲線波形
測(cè)試方法符合國標(biāo)，用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過載能力，
主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波。
控制回路采用單片機(jī)控制，所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。
是晶閘管和整流二極管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的選設(shè)備。
技術(shù)指標(biāo)：
1．ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。
2．ITSM測(cè)試范圍：500A—6000A，分辨率10A，精度±5%，數(shù)字表顯示。
3．VRM測(cè)試范圍：200V—2000V，分辨率10V，精度±5%，數(shù)字表顯示。
4．測(cè)試頻率：?jiǎn)未巍?br />5．設(shè)備配有示波器供觀看反向伏安特性波形。