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高低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
  • 高低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 縱橫金鼎
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

價(jià)格區(qū)間:面議 應(yīng)用領(lǐng)域:綜合

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更新時(shí)間:2024-12-17 12:07:26瀏覽次數(shù):1307評(píng)價(jià)

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LJD系列高低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀由高頻阻抗分析儀、測(cè)試裝置,標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成,能對(duì)薄膜、各種板材及液態(tài)絕緣材料進(jìn)行高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

LJD系列 介電常數(shù)測(cè)試儀由高頻阻抗分析儀、測(cè)試裝置標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成,能對(duì)薄膜、各種板材及液態(tài)絕緣材料進(jìn)行高頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗(D或tanδ) 的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。     

LJD系列介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是20Hz~5MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗 (D或tanδ)變化的測(cè)試。

LJD系列中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D(損耗值)變化和Cp(電容值)讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

1 高低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn):                            
 高頻阻抗分析儀電容值Cp辨率0.00001pF和6位D值顯示,保證了ε和D值精度和重復(fù)性。

介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1~105

2 高低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

2.1 ε和D性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz~5MHz的ε和D變化的測(cè)試。

2.1.2 ε和D測(cè)量范圍:ε:1~105,D:0.1~0.00005,

2.1.3 ε和D測(cè)量精度(10kHz):ε:±2% ,  D:±5%±0.0001。

2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋

型號(hào)

LJD-C

LJD-D

工作頻率范圍

50Hz~100kHz(10個(gè)頻點(diǎn))

精度:±0.05%

20Hz~1MHz/2MHz/5MHz

數(shù)字合成,精度:±0.02%

電容測(cè)量范圍

0.0001pF~99999μF

四位數(shù)顯

0.00001pF~9.99999F

六位數(shù)顯

電容測(cè)量基本誤差

±0.05%

±0.05%

損耗因素D值范圍

0.0001~9.9999

四位數(shù)顯

0.00001~9.99999

六位數(shù)顯

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.3 DL916B 介電常數(shù)測(cè)試裝置(含保護(hù)電極)

2.3.1 平板電容器極片尺寸:Φ5mm、Φ38mm和Φ50mm三種可選.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.001mm
2.3.3插頭間距:與電橋四端配合

 

 

 

 

 

 

 

2.3.4加溫控溫裝置(選購(gòu)設(shè)備)可以完成Z高200℃控溫精度l℃加熱測(cè)試。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.4 Agilent 16451B 介質(zhì)材料測(cè)試裝置提供四種不同直徑測(cè)試電極,

能對(duì)直徑φ10~56mm,厚度<10mm的試樣精確測(cè)量。它針對(duì)不同試樣

可設(shè)置為接觸電極法,薄膜電極法和

非接觸法三種,以適應(yīng)軟材料,表面不平整和薄膜試樣測(cè)試。

2.4.1 微分頭分辨率:10μm

2.4.2 Z高耐壓:±42Vp(AC+DC)

2.4.3 電纜長(zhǎng)度設(shè)置:1m

2.4.4 Z高使用頻率:30MHz 

 

 

 

2.5 高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
  在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。

用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

2.6 LJD系列 介電常數(shù)測(cè)試儀配置

 

配置類型

普及型

標(biāo)準(zhǔn)型

精密型

電橋工作頻率范圍

100Hz~100kHz

精度:±0.02%

20Hz~5MHz

精度:±0.02%

20Hz~5MHz

精度:±0.02%

配置型號(hào)

LJD數(shù)字電橋

+DL916B測(cè)試裝置

LJD系列 阻抗分析儀

+DL916B三電極測(cè)試裝置

LJD系列 阻抗分析儀

+16451B介質(zhì)材料測(cè)試裝置

(能適宜各種樣品)

介電常數(shù)范圍

1-1000

精度:±5%

1-1000

精度:±2%

1-100000

精度:±2%

損耗因素D值范圍

0.0001~9.9999

四位數(shù)顯

0.00001~9.99999

六位數(shù)顯

0.00001~9.99999

六位數(shù)顯

 

 

 

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