數(shù)字式太陽能級(jí)硅晶體少子壽命測試儀 晶體少子壽命測試儀型號(hào)：LT-200
LT-200數(shù)字式太陽能級(jí)硅晶體少子壽命測試儀簡介
1. 儀器應(yīng)用范圍及說明
本設(shè)備是按照國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過數(shù)次全國十多個(gè)單位巡回測試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量；也可對硅片進(jìn)行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，因此制樣特別簡便。
昆德公司數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點(diǎn)：
可測量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進(jìn)行測量，儀器可按需方提供的有標(biāo)稱值的校準(zhǔn)樣品調(diào)試壽命值。
1.1 可測量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。
1.2 液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)在線顯示光電導(dǎo)衰退波形。
1.3 配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)，有利于測量低阻太陽能級(jí)硅晶體少數(shù)載流子體壽命，脈沖功率30W。
1.4 專門為消除陷進(jìn)效應(yīng)增加了紅外低光照。
1.5 測量范圍寬廣
測試儀可直接測量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω•cm的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
b、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω•cm范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶厚度小于1mm的拋光片。
2. 設(shè)備技術(shù)要求及性能指標(biāo)
2.1 少子壽命測試范圍：0.5μs~6000μs
2.2 樣品的電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料）
2.3 測試速度：1分鐘/片
2.4 紅外光源波長： 0.904～0.905μm
2.5 高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ
2.6 前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ
2.7 可測單晶尺寸：斷面豎測：
直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm
縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-200mm
2.8 測量方式：采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式
2.9 測試分辨率：數(shù)字存儲(chǔ)示波器小分辨率0.01μs
2.10 設(shè)備重量：20 Kg
2.11 儀器電源：電源電壓類型：單相210～230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩(wěn)壓，不能與未做保護(hù)措施的大功率、高頻設(shè)備共用電源。
 | 產(chǎn)品名稱：實(shí)驗(yàn)室COD氨氮檢測儀
產(chǎn)品型號(hào)：WS-03 |
實(shí)驗(yàn)室COD氨氮檢測儀 型號(hào)：WS-03
產(chǎn)品介紹
測定污水中COD、氨氮兩個(gè)參數(shù)，適合大、中、小型污水處理廠的水質(zhì)檢測，可廣泛用于工業(yè)，化工、環(huán)保及制藥行業(yè)等部門的污水檢測，是常用的實(shí)驗(yàn)室儀器。
技術(shù)參數(shù)：
COD：5-150-500-5000mg/L ，0.1mg/L
氨氮：0-10-100mg/L ，0.01mg/L
精度：≤5%FS
重復(fù)性：≤2%
電源：AC 220V 50Hz
隨機(jī)送6孔消解器
特點(diǎn)：
1.省時(shí)，每種參數(shù)檢測所需時(shí)間短。
2.可自動(dòng)調(diào)零和1～5點(diǎn)自動(dòng)校準(zhǔn)。
3.標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)玻璃樣槽互換性更強(qiáng)。
4.采用半導(dǎo)體發(fā)光器，其光源穩(wěn)定壽命長。
5.999次測量存儲(chǔ)功能。
6.日期顯示功能，每次存儲(chǔ)對應(yīng)一個(gè)日期和時(shí)間，方便查詢。
7.可打印實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
8.全中文菜單，操作簡單易懂。
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