目錄:深圳市科晶智達科技有限公司>>薄膜制備設(shè)備>>等離子鍍膜設(shè)備>> VTC-1RF1 英寸小型磁控射頻濺射鍍膜儀
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子,電氣 |
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VTC-1RF 1 英寸小型磁控射頻濺射鍍膜儀是一款小型臺式單靶等離子濺射儀(射頻磁控型)，
配有1英寸的磁控等離子濺射頭和射頻（RF）等離子電源，此款設(shè)備主要用于制作非導(dǎo)電薄膜，
特別是一些氧化物薄膜。對于新型非導(dǎo)電薄膜的探索，它是一款廉價并且高效的實驗幫手。
我們用此設(shè)備得到擇優(yōu)取向的ZnO薄膜
| 性能指標(biāo)和基本配置 | |
|---|---|
| 輸入電源 | ● 220VAC 50/60Hz, 單相 ● 800W (包括真空泵） |
| 等離子源 | ● 配有一13.5MHz,100W的射頻電源（采用手動匹配） ● 可選配300W射頻電源（自動匹配） ● 注意：100W手動調(diào)節(jié)的RF（射頻）電源價格較低，但是每一次對于不同的靶材，都需要手動設(shè)置參數(shù)才能產(chǎn)生等離子體，比較耗費時間。300W自動匹配的RF（射頻）電源，價格較昂貴，但比較節(jié)約時間。（點擊圖片查看詳細資料）  |
| 磁控濺射頭 | ● 一個1英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接 ● 靶材尺寸: 直徑為25.4mm,最大厚度3mm ● 一個快速擋板安裝在法蘭上 ● 濺射頭所需冷卻水：流速10L/min（儀器中配有一臺流速為16L/min的循環(huán)水冷機） ● 同時可選配2英寸濺射頭 ● 選配2英寸濺射頭靶材尺寸：直徑為50.8mm，最大厚度6mm  |
| 真空腔體 | ● 真空腔體：160 mm OD x 150 mm ID x 250mm H，采用高純石英制作 ● 密封法蘭:直徑為165 mm . 采用金屬鋁制作，采用硅膠密封圈密封 ● 一個不銹鋼網(wǎng)罩住整個石英腔體，以屏蔽等離子體 ● 真空度：<1.0×10-2 Torr （采用雙極旋片真空泵） ＜5×10-5 torr （采渦旋分子泵） |
| 載樣臺 | ● 載樣臺可旋轉(zhuǎn)（為了制膜更加均勻）并可加熱 ● 載樣臺尺寸：直徑50mm （最大可放置2英寸的基片） ● 旋轉(zhuǎn)速度：1 - 20 rpm ● 樣品臺的最高加熱溫度為700℃(短期使用，恒溫不超過1小時)，長期使用溫度500℃ ● 控溫精度+/- 10℃  |
| 真空泵 | ● 我公司有多種真空泵可選，請點擊圖片，或是致電我公司銷售 |
| 薄膜測厚儀 | ● 一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上，可實時監(jiān)測薄膜的厚度，分辨率為0.10 ? ● LED顯示屏顯示，同時也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù)  |
| 質(zhì)保和質(zhì)量認(rèn)證 | ● 一年質(zhì)保期，終生維護 ● CE認(rèn)證 |
| 外形尺寸 |  |
| 使用注意事項 | ● 這款1英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜，所以并不需要太高的真空度 ● 為了較好地排出真空腔體中的氧氣，建議用5%H2+95 %N2對真空腔體清洗2-3次，可有效減少真空腔體中的氧含量 ● 請用純度大于5N的Ar來進行等離子濺射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過凈化系統(tǒng)過后，再導(dǎo)入到真空腔體內(nèi)  |
VTC-1RF 1 英寸小型磁控射頻濺射鍍膜儀
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