水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射600±20nm) 參考價(jià):面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS2為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為30%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射...水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射550±20nm) 參考價(jià):面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS2為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為30%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射750±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射700±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射650±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射550±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射750±10nm) 參考價(jià):面議
本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對(duì)稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基,3-巰基丙酸(MPA)和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射700±10nm) 參考價(jià):面議
本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對(duì)稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基,3-巰基丙酸(MPA)和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射650±10nm) 參考價(jià):面議
本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對(duì)稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基,3-巰基丙酸(MPA)和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射550±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射750±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射700±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射650±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)