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一、設(shè)備特點(diǎn)

碳納米膜制備設(shè)備由氣體質(zhì)量流量計(jì)控制系統(tǒng)、液體注液系統(tǒng)、多段溫度可控多區(qū)生長(zhǎng)系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)、碳納米線或膜收集系統(tǒng)，紅外烘干系統(tǒng)等組成。生長(zhǎng)爐的最高溫度1400℃，并可在0-1400℃之間連續(xù)可調(diào)，垂直式分布熱場(chǎng)，三點(diǎn)控溫(三段長(zhǎng)度平均分配)，設(shè)備頂部設(shè)有注液口、導(dǎo)流器。爐體采用雙層殼體結(jié)構(gòu)并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)，保溫材料為加厚型，殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料，加熱元件為優(yōu)質(zhì)硅碳棒。測(cè)溫采用適用于高溫環(huán)境的“S"型熱電偶，直接和式樣接觸，以提高控溫的精確性。本款碳納米管或膜CVD設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)生長(zhǎng)不間斷的特點(diǎn)。

二、技術(shù)參數(shù)