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ICP刻蝕——感應(yīng)耦合等離子體刻蝕

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更新時(shí)間:2015-11-10 06:02:57瀏覽次數(shù):1654

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產(chǎn)品簡介

ICP刻蝕——感應(yīng)耦合等離子體刻蝕

詳細(xì)介紹

ICP刻蝕——感應(yīng)耦合等離子體刻蝕
ICP 感應(yīng)耦合等離子體反應(yīng)室示意圖

感應(yīng)耦合等離子體(ICP)相關(guān)產(chǎn)品

主要特點(diǎn):

  • 分開的感應(yīng)耦合等離子體的射頻發(fā)生器和電極的射頻發(fā)生器提供了對(duì)離子能量和離子密度的分別控制
  • 高傳導(dǎo)率的氣泵端口為zui快的刻蝕速率提供高的氣量
  • 靜電屏消除了電容耦合,減小了對(duì)器件的電損傷,減少了反應(yīng)室的顆粒
  • 牛津儀器的ICP工具包括標(biāo)配的晶片夾具和氦氣冷卻,在一個(gè)廣泛、可選的溫度范圍內(nèi)提供優(yōu)異的溫度控制

ICP優(yōu)點(diǎn):

  • 通過高的離子密度(>1011 cm3)和高的基團(tuán)密度可以獲得高的刻蝕速率
  • 通過低的離子能量能夠獲得對(duì)選擇比和損傷的控制
  • 對(duì)感應(yīng)耦合等離子體和電極射頻的分別控制提供了高的工藝靈活性
  • 化學(xué)的和離子誘導(dǎo)的刻蝕
  • 為了某些低刻蝕速率的應(yīng)用,也可以以感應(yīng)離子刻蝕的模式運(yùn)行
  • 可以用于以感應(yīng)耦合等離子體-化學(xué)氣相沉積模式進(jìn)行沉積,提供:
    - 比等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的溫度低的條件下沉積致密的薄膜
    - 在溫度敏感的襯底上進(jìn)行低損傷的沉積

 

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Feature

ICP65

ICP180-100

ICP380-100

ICP380-133

電極尺寸

直徑240mm

中間50mm直徑區(qū)域等離子體均勻

直徑240mm

直徑240mm

直徑330mm

進(jìn)樣

手動(dòng)

真空進(jìn)樣

真空進(jìn)樣

真空進(jìn)樣

襯底

50mm

 

150mm,可以選擇多片或小片的載片臺(tái)

200mm,可以選擇多片或小片的載片臺(tái)

330mm,可以選擇多片或小片的載片臺(tái)

摻雜劑

不能

可以,為ICP-CVD選擇

可以,為ICP-CVD選擇

可以,為ICP-CVD選擇

質(zhì)量流量計(jì)控制的氣體管線

可使用812根管線

可使用812根管線

可使用812根管線

可使用812根管線

載片臺(tái)溫度范圍

-150 to 400ºC

-150 to 400ºC

-150 to 400ºC

-150 to 350ºC

在位等離子體清洗

可以,取決于沉積的材料

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