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磷化銦（InP）是由銦（In）和磷（P）組成的二元半導體，屬于一組通常稱為III-V半導體的材料。與硅和砷化鎵等更常見的半導體相比，磷化銦具有*的電子速度，常用于制造高功率和高頻率電子器件。
磷化銦晶圓加工
磷化銦具有與砷化鎵GaAs和大多數III-V半導體幾乎相同的面心立方晶體結構。磷化銦晶圓必須在器件制造之前準備好，所有III-V晶圓必須重疊以消除切片過程中發(fā)生的表面損傷。然后晶片被化學機械拋光/分層（CMP）用于終材料去除階段，從而允許獲得具有原子尺度的超平坦粗糙度的鏡像表面。
Logitech系統(tǒng)通?？梢陨a1-3μmTTV的磷化銦晶圓。
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