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[供應(yīng)]高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐

更新時(shí)間:2024-10-28 21:00:07

有效期:2024年10月28日 -- 2025年4月28日

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高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐
能夠提供2200–3000℃以上的生長(zhǎng)溫度,晶體生長(zhǎng)腔可Z大壓力可達(dá)300Bar,甚以及10-5mBar的高真空。適用于生長(zhǎng)各種超導(dǎo)材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等

高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐

高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐能夠提供2200–3000℃以上的生長(zhǎng)溫度,晶體生長(zhǎng)腔可zui大壓力可達(dá)300Bar,甚以及10-5mBar的高真空。適用于生長(zhǎng)各種超導(dǎo)材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等。

豎直雙鏡設(shè)計(jì),采用高照度短弧氙燈
      熔區(qū)溫度:zui高>3000℃
      熔區(qū)壓力:10-5 mbar 至 300 bar
      多路獨(dú)立氣體流量和氣壓控制

豐富的可升級(jí)選件

耐高溫、耐高壓、高真空、高透光率、    由德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用光學(xué)和精密工程研究所優(yōu)化設(shè)計(jì)的高反射 拆裝簡(jiǎn)便、帶樣品污染保護(hù)的石英樣品腔   率鏡面,鏡體位置和角度可由高精度步進(jìn)馬達(dá)控制調(diào)節(jié)


主要技術(shù)參數(shù):


熔區(qū)溫度

zui高2000 - 3000℃以上

熔區(qū)壓力

zui大10、50、100、150、300 bar可選

熔區(qū)真空

1*10-2 mbar1*10-5 mbar可選

熔區(qū)氣氛

Ar、O2N2等可選

氣體流量

0.25 – 1 L/min流量可控

氙燈功率

3kW 15kW可選

料棒臺(tái)尺寸

6.8mm 9.8mm可選

拉伸速率

0.1-200 mm/h

調(diào)節(jié)速率

0.6 mm/s

拉伸尺寸

zui大195mm

旋轉(zhuǎn)速率

0-150 rpm

用電功率

400V三相 63A 50Hz

水冷功率

大于8kW

主機(jī)尺寸

302cm*163cm*92cm


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