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EVG ComBond-ComBond®自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)
  • EVG ComBond-ComBond®自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)

貨物所在地:北京北京市

地: 奧地利

更新時間:2024-10-29 21:00:08

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高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西"的共價鍵;ComBond®自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)

ComBond®Automated High-Vacuum Wafer Bonding System

ComBond®自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)

 

高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵

 

EVG ComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG*的晶圓鍵合設備和技術產品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求。 EVG ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到MEMS封裝,高性能邏輯和“超越CMOS”器件。

EVG ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制。 EVG ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質材料的粘合,并通過其*的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成。 EVG ComBond高真空技術還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫粘合,這種金屬可以在周圍環(huán)境中快速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的粘結界面以及出色的粘結強度。

 

特征

高真空,對齊,共價鍵合

在高真空環(huán)境(<5·10-8 mbar)中進行處理

原位亞微米面對面對準精度

高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除

優(yōu)異的表面性能

導電結合

室溫過程

多種材料組合,包括金屬(鋁)

無應力粘結界面

高粘結強度

用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng)

多達六個模塊的靈活配置

基板尺寸大為200毫米

*自動化

 

技術數(shù)據(jù)

真空度:處理:<7E-8 mbar;處理:<5E-8毫巴

集群配置

處理模塊:小 3,大 6

加載:手動,卡帶,EFEM

可選的過程模塊:

鍵合模塊

ComBond®激活模塊(CAM)

烘烤模塊

真空對準模塊(VAM)

晶圓直徑:高達200毫米;

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