電子束光刻系統(tǒng)EBL (E-Beam Lithography)
電子束直寫系統(tǒng) 、 電子束曝光系統(tǒng)
CABL-9000C series

納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作的方法之一。日本CRESTEC公司為21世紀(jì)納米科技提供 的電子束納米光刻（EBL）系統(tǒng)，或稱電子束直寫（EBD）、電子束爆光系統(tǒng)。 

型號(hào)包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列 小線寬可達(dá)8nm， 小束斑直徑2nm，套刻精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

技術(shù)參數(shù)：
1. 小線寬：小于10nm（8nm available) 
2.加速電壓：5-50kV 
3.電子束直徑：小于2nm 
4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 
5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 
6.加工晶圓尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 
7.描電鏡分辨率：小于2nm

主要特點(diǎn)：
1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的TFE電子槍 
2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù) 
3.采用場(chǎng)尺寸調(diào)制技術(shù)，電子束定位分辨率（address size)可達(dá)0.0012nm 
4.采用軸對(duì)稱圖形書寫技術(shù)，圖形偏角分辨率可達(dá)0.01mrad 
5.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如微納器件加工，Si/GaAs 兼容工藝，研究用掩膜制造，納 米加工（例如單電子器件、量子器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻（Mix & Match），圖形線寬和圖形位移測(cè)量等。

超高分辨率電子束光刻EBL
Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH series)

納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作中是 好的方法之一。日本CRESTEC公司為21世紀(jì)先進(jìn)納米科技提供 的電子束納米光刻（EBL）系統(tǒng)，或稱電子束直寫（EBD）、電子束爆光系統(tǒng)。 

超高分辨率的電子束光刻CABL-UH系列的型號(hào)包括：
CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)

技術(shù)參數(shù)：
加速電壓： 高130keV
單段加速能力達(dá)到130keV，盡量減少電子槍的長(zhǎng)度
超短電子槍長(zhǎng)度，無微放電
電子束直徑＜1.6nm
 小線寬＜7nm
雙熱控制，實(shí)現(xiàn)超穩(wěn)定直寫能力