EVG^®850 LT

Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

EVG®850LT   SOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)

自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用

晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850 LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)和具有LowTemp™等離子活化的直接晶圓鍵合，融合了熔合的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此，經(jīng)過(guò)實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300 mm尺寸的無(wú)空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。

特征

利用EVG的LowTemp™等離子激活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用       ；生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）；         無(wú)污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔；                    ；   機(jī)械平整或缺口對(duì)齊的預(yù)粘合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)粘接室

對(duì)齊類(lèi)型：平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°

結(jié)合力：高5 N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2 mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3 mbar（渦輪泵選件）

LowTemp™等離子激活模塊

2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2，以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和合成氣（N2，Ar和H4含量高）

通用質(zhì)量流量控制器：多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn)，可對(duì)配方進(jìn)行編程，流速高可達(dá)到20.000 sccm

真空系統(tǒng)：9x10-2 mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3 mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹

配單元：清潔站；清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速?lài)娮?，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）；    腔室：由PP或PFA制成

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（大）。 2％濃度（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成；

旋轉(zhuǎn)：高3000 rpm（5 s）

清潔臂：多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線）

可選功能：ISO 3迷你環(huán)境（根據(jù)ISO 14644）；  LowTemp™等離子活化室

紅外檢查站