850 SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)適用于多種融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用。SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)粘合系統(tǒng)，SOI粘合的所有基本步驟-從清潔和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)粘合和紅外檢查-都結(jié)合了起來(lái)。因此，EVG850確保了高達(dá)300 mm尺寸的無(wú)空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。 EVG850是在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng)，已被確立為SOI晶圓市場(chǎng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

850 SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)特征

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行     

自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作

無(wú)污染的背面處理                      

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對(duì)齊的預(yù)粘合            

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：100-200、150-300毫米

對(duì)齊類型：平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°

結(jié)合力：高5 N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2 mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3 mbar（渦輪泵選件）

清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（大）。 2％濃度（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：高3000 rpm（5 s）

清潔臂：多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線）

可選功能：ISO 3迷你環(huán)境（根據(jù)ISO 14644）；  LowTemp™等離子活化室