ComBond®Automated High-Vacuum Wafer Bonding System

ComBond®自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)

高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵

EVG ComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)標(biāo)志著EVG*的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑，可滿足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求。 EVG ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底，堆疊的太陽(yáng)能電池和功率器件到端MEMS封裝，高性能邏輯和“超越CMOS”器件。

EVG ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái)，可以針對(duì)研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制。 EVG ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的粘合，并通過(guò)其*的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成。 EVG ComBond高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫粘合，這種金屬可以在周圍環(huán)境中快速重新氧化。對(duì)于所有材料組合，都可以實(shí)現(xiàn)無(wú)空隙和無(wú)顆粒的粘結(jié)界面以及出色的粘結(jié)強(qiáng)度。

特征

高真空，對(duì)齊，共價(jià)鍵合

在高真空環(huán)境（<5·10-8 mbar）中進(jìn)行處理

原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度

高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除

優(yōu)異的表面性能

導(dǎo)電結(jié)合

室溫過(guò)程

多種材料組合，包括金屬（鋁）

無(wú)應(yīng)力粘結(jié)界面

高粘結(jié)強(qiáng)度

用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng)

多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置

基板尺寸大為200毫米

*自動(dòng)化

技術(shù)數(shù)據(jù)

真空度：處理：<7E-8 mbar；處理：<5E-8毫巴

集群配置

處理模塊：小 3，大 6

加載：手動(dòng)，卡帶，EFEM

可選的過(guò)程模塊：

鍵合模塊

ComBond®激活模塊（CAM）

烘烤模塊

真空對(duì)準(zhǔn)模塊（VAM）

晶圓直徑：高達(dá)200毫米；