EVG^®6200 NT  Mask Alignment System(semi-automated / automated)

EVG®6200NT  掩模對準系統(tǒng)（半自動/自動）

EVG®6200NT掩模對準器是用于光學雙面光刻和大200 mm晶圓尺寸的多功能工具。

技術數據

EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱，在小的占位面積上提供了先進的掩模對準技術，并具有高的通量，先進的對準功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件，短的掩模和工具更換時間以及高效的服務和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。

 EVG6200 NT或*容納的EVG6200 NT Gen2掩模對準系統(tǒng)有半自動或自動配置，并配有集成的振動隔離功能，可在廣泛的應用中實現(xiàn)出色的曝光效果，例如薄和厚抗蝕劑的曝光，深腔的圖案化和可比的形貌，以及薄而易碎的材料（例如化合物半導體）的加工。此外，半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術。

特征：

晶圓/基片尺寸從大200 mm / 8'’

系統(tǒng)設計支持光刻工藝的多功能性：

在打印模式下的吞吐量高達180 WPH，在自動對齊模式下的吞吐量高達140 WPH

易碎，薄或翹曲的多種晶圓尺寸的晶圓處理，更換時間短

帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償程序

自動原點功能，用于對準鍵的居中

具有實時偏移校正的動態(tài)對準功能            支持的UV-LED技術

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)          自動化系統(tǒng)上的手動基材裝載功能

可以從半自動版本升級為全自動版本          小化系統(tǒng)占地面積和設施要求

多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和配方，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）

先進的軟件功能以及研發(fā)與全面生產之間的兼容性；敏捷處理和轉換重組；遠程技術支持和SECS / GEM兼容性；臺式或帶防震花崗巖臺的單機版。

附加功能：鍵對齊    紅外對準     納米壓印光刻（NIL）；

技術數據：

曝光源：汞光源/紫外線LED光源

先進的對齊功能：手動對準/原位對準驗證 ；自動對齊；動態(tài)對齊/自動邊緣對齊 

對準偏移校正算法：通量；

全自動：一批生產量：每小時180片

全自動：吞吐量對齊：每小時140片晶圓

晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米

對齊方式：上側對齊：≤±0.5 µm；底側對齊：≤±1,0 µm；紅外校準：≤±2,0 µm /基板材料，具體取決于； 鍵對準：≤±2,0 µm； NIL對準：≤±3.0 µm

曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補償：全自動-SW控制；

曝光選項：間隔暴露/洪水暴露/扇區(qū)暴露

系統(tǒng)控制，操作系統(tǒng)：Windows；文件共享和備份解決方案/無限制配方和參數；多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR；實時遠程訪問，診斷和故障排除

工業(yè)自動化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術：SmartNIL®；