由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測(cè)量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針?lè)ㄔ韥?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測(cè)量?？捎糜诟咝Ｎ锢斫逃龑?shí)驗(yàn)，對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測(cè)試及研究。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-5—106Ω。 SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x是由SB118/1型精密電壓電流源以及SB120/2四探針樣品平臺(tái)二臺(tái)儀器構(gòu)成。 l SB118型精密直流電壓電流源 （詳見(jiàn)該產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)） 直流電流源 a) 電流輸出范圍：1nA~200mA，輸出電壓不小于5V； b) 量程：分五檔，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA； c) 電流輸出的基本誤差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。 直流電壓源 a) 電壓輸出范圍：5μV~50V，負(fù)載電流不小于10mA（20mV以上）； b) 量程：分五檔，20mV、200mV、2V、20V、50V，每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào)； c) 電壓輸出的基本誤差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。 數(shù)字電壓表（4?LED）利用電壓源部分“取樣"端可對(duì)被測(cè)電壓進(jìn)行測(cè)試 a) 測(cè)量量程 20mV，200mV，2V，20V，200V b) zui高分辨力 可達(dá)1µV c) 基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS （20±2?C） l SB120/2四探針樣品平臺(tái)（詳見(jiàn)該產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)） 為被測(cè)薄膜樣品，利用四探針測(cè)量方式測(cè)量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。 | 
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