PELCO Tripod Polisher 590由IBM East Fishkill實驗室的研究人員設(shè)計，以準確地制備預先的微米尺度區(qū)域的透射電鏡和掃描電鏡樣品。對于TEM樣品，該技術(shù)已成功地用于將離子研磨時間限制在15分鐘以內(nèi)，并且在某些情況下，消除了離子研磨的需要。

PELCO Tripod Polisher 590由IBM East Fishkill實驗室的研究人員設(shè)計，以準確地制備預先的微米尺度區(qū)域的透射電鏡和掃描電鏡樣品。對于TEM樣品，該技術(shù)已成功地用于將離子研磨時間限制在15分鐘以內(nèi)，并且在某些情況下，消除了離子研磨的需要。

盡管這項技術(shù)是為制備半導體橫截面而設(shè)計的，但它已被用于從陶瓷、復合材料、金屬和地質(zhì)樣品等不同材料制備平面圖和橫截面樣品。

590 TEM– 用于TEM樣品減薄，避免用手裸磨而容易造成的樣品破碎；同時提升研磨薄度，有效減少后續(xù)離子減薄所需的制備時間590 SEM- 用于SEM樣品制備，避免手磨容易造成的歪斜問題，有效提供制備精度、減少制備所需時間，從而大大提高效率590 TS– 結(jié)合590 TEM與590 SEM 雙重功能，達到一機多用

操作-標準法

PELCO Tripod Polisher 590可制備用于掃描電鏡和透射電鏡橫截面分析的樣品。為此，在PELCO® Tripod PolisherTM 590的帶槽的L形支架上夾放一個特殊的掃描電鏡樣品座，將樣品置于其上。首先，在15μm粘合金屬的金剛石盤上進行初步研磨，再依次使用30μm到0.5μm系列尺寸的金剛石膜進行研磨和拋光，后用二氧化硅懸浮液完成拋光過程。

在研磨過程中，通過后面的兩個千分尺調(diào)整拋光面。使用倒置顯微鏡進行定期檢查，調(diào)整拋光面，直至其與感興趣面平行。此時，可將掃描電鏡樣品座移至離子研磨機中進行快速研磨，以去除細微的劃痕、拋光碎屑，在掃描電鏡分析前得到樣品表面形貌。掃描電鏡樣品座可直接放入掃描電鏡分析。分析完成后，制作同一區(qū)域的透射電鏡樣品。從掃描電鏡樣品座上取下樣品，貼在單孔TEM柵網(wǎng)上。拆下帶槽的L形支架，將TEM柵網(wǎng)置于拋光機中心的圓形樣品支架上。使用金剛石研磨膜（Diamond Lapping Film）對樣品進行機械減薄。在此過程中，使用倒置顯微鏡定期檢查，并通過調(diào)節(jié)千分尺使拋光面處于正確位置。樣品終拋光至1μm或更薄，然后離子研磨15分鐘。

操作-楔形法

快速離子研磨中產(chǎn)生的擇優(yōu)減薄和形貌使不同材料間界面的研究變得困難?？赏ㄟ^*消除離子研磨步驟和采用楔形技術(shù)將樣品機械拋光到電子透明厚度來較少這些問題的發(fā)生。采用這種技術(shù)時，用Pyrex®插件替換帶槽的L型支架中的SEM樣品座，將樣品置于插頭端面上。

在得到感興趣面后，取下樣品并置于Pyrex®插件的底端。調(diào)整兩個后千分尺，，回撤近樣品的那個千分尺，以使樣品減薄至楔形。從背側(cè)對楔形樣品頂端感興趣特征區(qū)減薄，直到感興趣區(qū)邊緣厚約1μm。然后，使用拋光布（如MultiTex Cloth（產(chǎn)品編號816-12）和硅質(zhì)懸浮液對樣品進行后的拋光處理，直到可以看到厚度條紋（低于幾千埃）。后將樣品從Pyrex®插件中取出，置于單孔TEM柵網(wǎng)上進行分析。

• 適用TEM分析的精細的橫截面

• 快速、可重現(xiàn)地制備TEM樣品

• 將離子研磨時間從數(shù)小時縮短至數(shù)分鐘。

• 由整個樣品可制備得到大的薄區(qū)。