GaSe晶體, AGSe晶體, CdSe晶體，GaSe晶體是六邊形晶體，主要用于遠(yuǎn)紅外波段的二次諧波產(chǎn)生。AGSe晶體-硒化銀（AgGaSe2，有時(shí)也稱(chēng)為銀鎵硒化物）廣泛應(yīng)用于中紅外（MIR）、紅外（IR）和遠(yuǎn)紅外（FIR）光應(yīng)用，是樹(shù)波相互作用的優(yōu)良晶體之一。CdSe晶體（硒化鎘）是晶體材料，通常取向?yàn)槔w鋅礦（六角形）。
GaSe晶體, AGSe晶體, CdSe晶體
非線(xiàn)性晶體，GaSe晶體, AGSe晶體, CdSe晶體
硒化鎵（GaSe）是一種六邊形晶體，主要用于遠(yuǎn)紅外波段的二次諧波產(chǎn)生。硒化鎵具有極低的莫氏硬度，使其非常脆弱，消除了應(yīng)用機(jī)械處理或涂層的可能性。3photon可以提供沿光軸Z切割的氣體晶體。
大的非線(xiàn)性光學(xué)（NLO）系數(shù)使得AGSe成為非線(xiàn)性光學(xué)（NLO）應(yīng)用中常用的紅外晶體之一。與AGS相比，硒鋁酸銀（AGSe）具有紅外吸收系數(shù)低、熔點(diǎn)低等優(yōu)點(diǎn)。
近年來(lái)，人們采用了幾種晶體生長(zhǎng)方法來(lái)生長(zhǎng)CdSe單晶和多晶材料。化學(xué)氣相輸運(yùn)、固態(tài)再結(jié)晶、溫度梯度溶液區(qū)生長(zhǎng)、高壓垂直區(qū)熔是獲得高質(zhì)量CdSe晶體的主要方法。3photon可以隨時(shí)為晶體生長(zhǎng)提供專(zhuān)業(yè)建議。CdSe拋光后，可根據(jù)要求對(duì)材料進(jìn)行涂層處理。內(nèi)部涂層由經(jīng)驗(yàn)豐富的涂層工程師進(jìn)行建模和沉積。
GaSe晶體特點(diǎn)：
- GaSe是非常軟的材料，不能進(jìn)行拋光或涂層程序；
-透明度范圍：900-16000nm；
-只能在一個(gè)平面（001）上切割；
-由于高折射率和可用的方向限制，只能使用較小的θ角；
-較便宜的替代AGS或AGSe，可產(chǎn)生2400 nm–20000 nm或太赫茲輸出。
GaSe晶體典型應(yīng)用：
-GaSe適合電子和光學(xué)應(yīng)用:
高功率飛秒激光器；
太赫茲（THz）產(chǎn)生；
寬帶中紅外（MIR）電磁波產(chǎn)生的替代方案；
在中紅外（MIR）中產(chǎn)生二次諧波（SHG），用于CO、CO2、染料激光器等。；
上轉(zhuǎn)換：紅外（IR）到近紅外（NIR）范圍；
光學(xué)參量產(chǎn)生（OPG）在3–16µm范圍內(nèi)。
AGSe晶體特點(diǎn)：
-最寬的3光子紅外晶體的透明度范圍從1100納米到18微米；
-大的非線(xiàn)性光學(xué)（NLO）系數(shù)（deff=~27-33 pm/V）；
-寬光譜和角度接受；
-生長(zhǎng)過(guò)程復(fù)雜，價(jià)格昂貴；
-非線(xiàn)性大約是AGS的2-3倍；
-高損傷閾值涂層可用于中紅外（MIR）和紅外（IR）范圍。
AGSe晶體典型應(yīng)用：
-CO（5-6μm）和CO2（10.6μm）激光系統(tǒng)的有效二次諧波產(chǎn)生（SHG）；
-Ho:YLF（2050nm）泵浦的光學(xué)參量振蕩器（OPO），輸出可調(diào)范圍為2.5～12μm；
-中紅外和遠(yuǎn)紅外區(qū)域的不同頻率發(fā)生器，其紅外截止波長(zhǎng)約為18µm；
-作為ZGP晶體的替代品，OPA為2.09μm->3-5μm；
-在第二階段（在OPO以800 nm泵浦后）以產(chǎn)生7-20μm的更長(zhǎng)波長(zhǎng)。
CdSe晶體特點(diǎn)：
-低光吸收。
-寬帶特定傳輸范圍：2.5μm至16μm。
CdSe晶體典型應(yīng)用：
-紅外偏振光學(xué)：紅外偏振器和紅外波片。
-紅外光學(xué)元件，如紅外分束器、紅外二色反射鏡和紅外窗口。
-納米顆粒（如納米AWS、納米管和納米線(xiàn)）。
-光學(xué)參量發(fā)生器（OPG）。
-光學(xué)參量振蕩器。
-DFM變頻器。
GaSe晶體, AGSe晶體, CdSe晶體
