美國EOT的銦鎵砷光電探測器也叫做EOT銦鎵砷探測器、EOT近紅外光電探測器、短波紅外銦鎵砷光電探測器、短波近紅外銦鎵砷光電探測器、銦鎵砷PIN光電二極管探測器、EOT光電探測器、銦鎵砷光電二極管探測器等等。帶寬>10GHz,占地面積小、內(nèi)部電壓偏置、直流至22GHz,可選外墻插入式電源、可選光纖耦合或自由空間選項。組件包含PIN光電二極管,利用光伏效應將光功率轉(zhuǎn)換為電流。
美國EOT的銦鎵砷光電探測器
EOT銦鎵砷光電探測器,體積小、帶寬>10GHz
內(nèi)部電壓偏置、直流至22GHz、可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項
短波近紅外銦鎵砷光電探測器包含PIN光電二極管,利用光伏效應將光功率轉(zhuǎn)換為電流。EOT銦鎵砷光電探測器又叫做EOT銦鎵砷探測器、EOT近紅外光電探測器、短波紅外銦鎵砷光電探測器、短波近紅外銦鎵砷光電探測器、銦鎵砷PIN光電二極管探測器、EOT光電探測器、銦鎵砷光電二極管探測器等等。
典型包含可見光、近紅外的EOT銦鎵砷光電探測器的響應度如下:
![20.png](https://img70.chem17.com/33c3386a40defc47f66e53165073162b4d7e225a9d6fca41a278b2b0ead5a2531d4f8b164ced40e6.png)
ET-3500、ET-4000適合短波可見光區(qū)域, 3500F、ET-3600、ET-4000F適用于近紅外I區(qū)的應用,ET-5000、ET-5000F適用于近紅外II區(qū)。型號確定的含義:
2代表Silicon,3代表 InGaAs,4代表GaAs,5代表Extended InGaAs,ET是廠家EOT的縮寫。
短波近紅外銦鎵砷光電探測器,三元系材料InxGa1-xAs是由GaAs和InAs形成的混合固溶體的直接帶隙半導體,其能帶成分因組分的比例不同具有差異,應用廣泛。
EOT近紅外光電探測器端接到示波器的50Ω電阻時,可以測量激光的脈沖寬度。當銦鎵砷PIN光電二極管探測器端接到頻譜分析儀的50Ω電阻時,可以測量激光的頻率響應。
EOT近紅外光電探測器中,>10GHz光電探測器自帶由長壽命鋰電池組成的內(nèi)部偏置電源。將同軸電纜插入光電檢測器的BNC輸出連接器,可以在示波器或頻譜分析儀處端接50Ω就可以了。
短波近紅外銦鎵砷光電探測器的上升/下降時間300ps(典型),影響度0.47A/W@830nm,電源要求直流,帶寬>2GHz,輸出連接器BNC。特點是占地面積小、內(nèi)部電壓偏置、直流至22GHz、可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項。
探測原理是什么呢?
探測器在完成光電轉(zhuǎn)化過程中,不僅給出表征被測對象的電壓、電流信號,同時也伴隨著無用噪聲的電壓、電流信號,這是一種起伏信號,其大小決定了探測器的探測能力。
EOT近紅外光電探測器的主要指標如下:
1)光電流是存在入射光照射下光電探測器所產(chǎn)生的光生電流,暗電流則為無光入射的情況下探測器存在的漏電流。其大小影響著光接收機的靈敏度大小,是探測器的主要指標之一。暗電流包括以下幾種:盡區(qū)中邊界的少子擴散電流、流子的產(chǎn)生-復合電流、表面泄漏電流。EOT近紅外光電探測器的暗電流<0.1nA。
2)探測器的暗電流與噪聲是分不開的,通常光電探測器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲:暗電流噪聲、散粒噪聲、熱噪聲。EOT近紅外光電探測器的噪聲<0.01pW/Hz。
![](https://img70.chem17.com/33c3386a40defc47f66e53165073162beb72bccec27ec9f821828d9d645d023ef61d0e71f72a4ef9.png)
EOT銦鎵砷探測器特點:
-占地面積小
-內(nèi)部電壓偏置
-帶寬>10GHz
-直流至22GHz
-可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項
EOT近紅外光電探測器應用:
-監(jiān)控調(diào)Q激光器的輸出
-監(jiān)控鎖模激光器的輸出
-監(jiān)測外部調(diào)制連續(xù)激光器的輸出
-高頻、外差應用
-時域和頻率響應測量
美國EOT的銦鎵砷光電探測器