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PHI ADEPT 1010-動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜儀
  • PHI ADEPT 1010-動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜儀

貨物所在地:北京北京市

更新時(shí)間:2023-12-31 21:00:06

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動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜儀(D-SIMS)是使用一次離子束(通常是Cs源)轟擊樣品表面,而產(chǎn)生二次離子,然后用質(zhì)譜分析儀分析二次離子的質(zhì)荷比(m/q),從而得知元素在樣品中的深度分布,是分析半導(dǎo)體摻雜和離子注入的強(qiáng)有力的工具。

優(yōu)勢(shì)

ULVAC-PHI 最新設(shè)計(jì)的四極桿-二次離子質(zhì)譜儀ADPT1010,在原有的PHI6300和PHI6600的基礎(chǔ)上,改善了離子光學(xué)系統(tǒng),是在一次離子能量低至250eV時(shí),仍保持有效的濺射束流的動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜系統(tǒng)(D-SIMS)。


特點(diǎn)

  1. 大束流低能量離子槍設(shè)計(jì),極大的提高了深度分辨率

  2. 高性能離子光學(xué)系統(tǒng),改善了二次離子傳輸效率,在提高分析效率的同時(shí)又提高了檢測(cè)靈敏度

  3. 高精度全自動(dòng)5軸樣品操控臺(tái)

  4. 不同方向進(jìn)入檢測(cè)器的二次離子,均可被高靈敏地收集檢測(cè)

應(yīng)用實(shí)例分析

采用一次離子源Cs在加速5kV束流為100nA的條件下,分析GaAs中注入的H,C,O元素。可以看到H檢測(cè)限值7.1X1016 atm/cm3,O檢測(cè)限值4.4X1015 atm/cm3,C檢測(cè)限值2.0X1015 atm/cm3。

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