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Optitherm lll發(fā)射率自動(dòng)測(cè)量?jī)x

美國(guó)*！

簡(jiǎn)要描述：

在CVD、MBE和MOCVD反應(yīng)過(guò)程中，Optitherm lll 發(fā)射率自動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)光纖鏡頭和的脈沖激光器可以精確地測(cè)量單個(gè)或多個(gè)晶片的溫度 。

Optitherm lll 可以監(jiān)測(cè)著被測(cè)光潔材料的不斷變化的發(fā)射率，從而使得紅外測(cè)溫設(shè)備可以達(dá)到±3℃的精度。該主動(dòng)式測(cè)量技術(shù)不同于傳統(tǒng)的被動(dòng)式測(cè)量技術(shù)。

    Optitherm lll 通過(guò)主動(dòng)式反射測(cè)量技術(shù)得到目標(biāo)的發(fā)射率(E%)，從而得到目標(biāo)的實(shí)際溫度(Te)。當(dāng)接收測(cè)量紅外輻射時(shí),在同一時(shí)間,位置,波段自動(dòng)測(cè)量被測(cè)物光潔表面的反射,獲得準(zhǔn)確的實(shí)際溫度。微處理器以極快的速度(1ms)將這些值傳遞給PC，PC快速計(jì)算并記錄下目標(biāo)的實(shí)際溫度，從而實(shí)現(xiàn)即時(shí)的過(guò)程控制。

   Optitherm lll 可以應(yīng)用在各種各樣的應(yīng)用中，如：生產(chǎn)制造、芯片加工或研究與開發(fā)等其他一系列與精確溫度測(cè)量方面的應(yīng)用。

技術(shù)：

Optitherm lll 使用了技術(shù),基于紅外技術(shù)的激光來(lái)測(cè)量目標(biāo)的發(fā)射率及真實(shí)溫度。

一個(gè)低功率的砷化鎵脈沖激光器發(fā)出脈沖激光，通過(guò)特定的光路(激光通道)發(fā)射到被測(cè)目標(biāo)上的測(cè)量區(qū)域，激光反射信號(hào)和紅外輻射信號(hào)通過(guò)另一個(gè)光路(輻射通道)返回。激光信號(hào)(AC)在目標(biāo)信號(hào)(DC)之上。監(jiān)控發(fā)出的激光能量并加上幾何因素(包括測(cè)量距離)，Optitherm lll 可以得到被測(cè)目標(biāo)的反射率及發(fā)射率。測(cè)量過(guò)程中，僅接收目標(biāo)輻射出的以激光波段為中心的非常窄的帶寬的波段，這使其可以在特殊應(yīng)用中得到zui高的精度。

Optitherm lll 內(nèi)置了5種操作模式：遠(yuǎn)程控制模式，由PC通過(guò)命令操作和控制；自動(dòng)模式，在一定時(shí)間內(nèi)持續(xù)輸出數(shù)據(jù)，時(shí)間可調(diào)；單一模式，僅適用其溫度測(cè)量功能；間隔模式，在特定的時(shí)間定序內(nèi)測(cè)量；離線模式，用于安裝和校準(zhǔn)功能。

• 參數(shù)設(shè)置：< >紅外輻射和發(fā)射率的自動(dòng)測(cè)量溫度范圍: 250°C- 1500°C溫度精度: ±3°C6 個(gè)波段可選:808、850、905、940、980和 1550nm

   

  < >數(shù)據(jù)采樣率zui快可達(dá) 1 ms數(shù)字接口： RS232每秒鐘向PC端輸出70個(gè)讀數(shù)測(cè)量光斑zui小可達(dá)0.25"，大小可調(diào)

   

  實(shí)際應(yīng)用：

   半導(dǎo)體薄片溫度測(cè)量

    晶片的生產(chǎn)和研發(fā)

    光潔表面的測(cè)量

    反應(yīng)過(guò)程的溫度測(cè)量:

  CVD 反應(yīng)器

  MBE 反應(yīng)器

  MOCVD 反應(yīng)器

   

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