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| 磁阻效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀型號(hào)：YQDH4510 | 貨號(hào)：ZH5419 |
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本實(shí)驗(yàn)裝置使用砷化鎵（GaAs）霍爾傳感器測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應(yīng)強(qiáng)度下的電阻大小。可觀測(cè)半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)和磁阻效應(yīng)兩種物理規(guī)律，及其作為磁測(cè)量不同應(yīng)用，具有研究性和相關(guān)性的實(shí)驗(yàn)特點(diǎn)，適合于基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)和綜合性物理實(shí)驗(yàn)。 主要參數(shù)及性能： 1、IM：勵(lì)磁電流，直流0~900mA連續(xù)可調(diào)，3位半數(shù)顯； 2、Is：傳感器工作電流，直流0~1mA連續(xù)可調(diào)，3位半數(shù)顯； 3、數(shù)字式磁場(chǎng)強(qiáng)度和磁阻電壓測(cè)量： 磁場(chǎng)強(qiáng)度0~999mT，準(zhǔn)確率1%； 磁阻電壓0~2000mV，準(zhǔn)確率為0.5%。 |  |
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