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1 導(dǎo)體（conductor）：容易傳導(dǎo)電流的材料稱為導(dǎo)體，如金屬、電解液等。E50601010101
2 絕緣體（nonconductor）：幾乎不傳導(dǎo)電流的材料稱為絕緣體，如橡膠、陶瓷、石英、塑料等。E50601010102
3 半導(dǎo)體（semiconductor）：導(dǎo)電能力隨外界條件發(fā)生顯著變化的材料稱為半導(dǎo)體，如硅（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等。E50601010103
4 本征半導(dǎo)體（intrinsic semiconductor）：不含雜質(zhì)，*純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。E50601010104
5 雜質(zhì)半導(dǎo)體（extrinsic semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)元素，其導(dǎo)電性能就會發(fā)生顯著的改變。摻有雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。因摻入雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。E50601010105
6 N型半導(dǎo)體（N-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量五價元素（如磷（P）、砷（As））的雜質(zhì)后，自由電子成為多數(shù)載流子，而空穴成為少數(shù)載流子。這種主要依靠自由電子導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體。E50601010106
7 P型半導(dǎo)體（P-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量三價元素（如硼（B）、銦（In））的雜質(zhì)后，空穴成為多數(shù)載流子，而自由電子成為少數(shù)載流子。這種主要依靠空穴導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。E50601010107
8 空穴（hole）：電子掙脫共價鍵的束縛成為自由電子后所留下的空位稱為空穴?？昭ǖ某霈F(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的一個重要特點，通?？蓪⒖昭ㄒ暈閹д姷牧Ｗ印50601010108
9 載流子（carrier）：在半導(dǎo)體中，將能移動的電荷統(tǒng)稱為載流子，包括電子和空穴。E50601010109
10 擴散（diffusion）：在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界處，由于多數(shù)載流子濃度的差別，載流子將從濃度較高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運動，多數(shù)載流子的這種運動稱為擴散。擴散和漂移產(chǎn)生方向相反的電流。E50601010201
11 漂移（drift）：在擴散產(chǎn)生的內(nèi)電場作用下，少數(shù)載流子有規(guī)則的運動，稱為漂移運動，簡稱漂移。漂移和擴散產(chǎn)生方向相反的電流。E50601010202
12 PN結(jié)（PN junction）：由于載流子的擴散和漂移，在P區(qū)和N區(qū)交界處的兩側(cè)形成一個空間電荷區(qū)（space-charge region），這個空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)也稱為耗盡層或阻擋層。E50601010203
13 耗盡層（depletion layer）：在空間電荷區(qū)中，多數(shù)載流子擴散到對方并被復(fù)合掉，或者說多數(shù)載流子被消耗盡了，所以這個空間電荷區(qū)也稱為耗盡層。E50601010204
14 阻擋層（barrier layer）：在空間電荷區(qū)中，由靜止電荷所建立的內(nèi)電場對多數(shù)載流子的擴散起阻擋作用，所以這個空間電荷區(qū)又稱為阻擋層。E50601010205
15 偏置（bias）：在PN結(jié)上外加一定的電壓，稱為偏置。在PN結(jié)上加正向電壓，稱為正向偏置，簡稱正偏（forward bias）；在PN結(jié)上加反向電壓，稱為反向偏置，簡稱反偏（reverse bias）。E50601010206
16 半導(dǎo)體二極管（PN junction diode）：在一個PN結(jié)的P區(qū)和N區(qū)分別加上相應(yīng)的電極引線，外加管殼密封制成的器件，稱為半導(dǎo)體二極管。E50601020101
17 二極管導(dǎo)通壓降（forward voltage of a PN junction diode）：二極管正向?qū)〞r其兩端所加的電壓稱為二極管導(dǎo)通壓降，如硅管的導(dǎo)通壓降為0.6V~0.7V，鍺管為0.2V~0.3V，砷化鎵為1.3 ~1.5V等。E50601020201
18 二極管的伏安特性（current-voltage characteristics of a PN junction diode）：二極管的端電壓與流過二極管的電流之間的關(guān)系稱為二極管的伏安特性。E50601020202
19 死區(qū)（dead zone）：當二極管所加的正向電壓較小時，由于外部電場不足以克服內(nèi)電場對多數(shù)載流子擴散運動所造成的阻力，因此這時的正向電流很小，二極管呈現(xiàn)較高的電阻。這段區(qū)域稱為“死區(qū)”。E50601020203
20 zui大反向工作電壓（maximum peak reverse voltage）：指二極管安全工作時所能承受的zui高反向電壓。一般規(guī)定zui大反向工作電壓為反向擊穿電壓的1/2~2/3。E50601020302
21 反向飽和電流（reverse saturation current）：在二極管兩端外加反向電壓不超過一定范圍時，由少數(shù)載流子的漂移形成很小的反向電流。在一定溫度下，一定范圍內(nèi)增加反向電壓不會使少數(shù)載流子的數(shù)目明顯增加，即反向電流與反向電壓基本無關(guān)，故此時的反向電流通常稱為反向飽和電流。E50601020303
22 整流（rectification）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^程叫整流。E50605010001
23 濾波（filtering）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^程叫整流。將整流輸出的單向脈動電壓變換為脈動程度小的平滑直流電壓的過程稱為濾波。E50605020001
24 參數(shù)（parameter）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范圍的一些數(shù)據(jù)稱為參數(shù)。參數(shù)一般可從手冊中查到。E50601020301
25 穩(wěn)壓管（Zener diode）：穩(wěn)壓管又稱齊納二極管，是工作在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極管，常利用它在反向擊穿狀態(tài)下的恒壓特性構(gòu)成簡單的穩(wěn)壓電路。E50601020401
26 溫度系數(shù)（temperature coefficient）：表征元器件溫度敏感性的參數(shù)。通常用某個電壓變化的百分數(shù)與元器件工作環(huán)境溫度的變化量的度數(shù)之比來表示，由元器件生產(chǎn)廠提供。當環(huán)境溫度上升時，元器件的有關(guān)參數(shù)值也上升，稱為正溫度系數(shù)；反之為負溫度系數(shù)。例如穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓在6伏以上時，溫度系數(shù)為正； 6伏以下時，溫度系數(shù)為負。E50601020402
27 雙極型晶體管（ bipolar junction transistor ，BJT）：雙極型晶體管是一種具有兩種載流子（自由電子和空穴）參與導(dǎo)電，并有三個電極的電流控制型器件。E50601030001
28 場效應(yīng)晶體管（field-effect transistor ，F(xiàn)ET）：場效應(yīng)晶體管是一種具有一種載流子（自由電子或空穴）參與導(dǎo)電、并有三個電極的電壓控制型器件。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類，絕緣柵型場效應(yīng)晶體管（insulated gate type FET）又稱為MOS場效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOS FET）。E50601040001
29 共發(fā)射極電路（common-emitter circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當發(fā)射極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱為共發(fā)射極電路。E50602010101
30 共集電極電路（common-collector circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當集電極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、發(fā)射極是輸出端所組成的電路就稱為共集電極電路，也稱為射極輸出器、射極跟隨器。E50602010102
31 共基極電路（common-base circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當基極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，發(fā)射極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱為共基極電路。E50602010103
32 輸入特性（input characteristics）：輸入電壓與輸入電流之間的關(guān)系，稱為輸入特性。一般用曲線表示，稱為輸入特性曲線。E50601030301
33 輸出特性（output characteristics）：輸出電流與輸出電壓之間的關(guān)系，稱為輸出特性。一般是以某一輸入量為參變量的一族曲線。E50601030302
34 電流放大系數(shù)（current amplification coefficient）：表征BJT電流控制作用的參數(shù)，例如共基極接法時的電流放大系數(shù)α、共射極接法時的電流放大系數(shù)β。E50601030201
35 集電極—基極反向飽和電流ICBO（collector –base reverse saturation current）：集電極—基極反向飽和電流指發(fā)射極開路時，集電結(jié)在反向電壓的作用下，集電區(qū)的少數(shù)載流子向基區(qū)漂移而形成的反向電流。E50601030401
36 集電極—發(fā)射極反向飽和電流ICEO（collector-emitter reverse saturation current）：集電極—發(fā)射極反向飽和電流又稱穿透電流，是指當基極開路時，集電極和發(fā)射極之間流過的電流。E50601030402
37 集電極zui大允許電流ICM（maximum collector permitted current）：集電極zui大允許電流是指晶體管參數(shù)的變化不超過規(guī)定允許值時（功率與電壓未超過額定值，一般指β值沒有下降到正常參數(shù)的 時）集電極電流的zui大值。E50601030403
38 集電極zui大允許耗散功率PCM（maximum collector permitted power dissipation）：晶體管安全工作時，集電結(jié)的功率zui大值，如果超過此值，器件就可能損壞。E50601030404
39 放大（amplification）：輸出信號（電流、電壓或功率）比輸入信號大，稱為放大。其實質(zhì)是通過電子器件的控制作用，將直流電源的能量轉(zhuǎn)化為負載所需要的電能形式。E50602000001
40 微變等效電路（small-signal equivalent circuit）：輸入微小信號時放大電路的等效電路稱為微變等效電路。E50602030201
41 微變等效電路分析法（small-signal equivalent analysis）： 指放大電路輸入信號較?。ㄎ⒆冃盘枺r，可將非線性電路等效為線性電路，借助線性電路的分析方法進行分析，這種特定的分析方法稱為微變等效電路分析法。E50602030202
42 靜態(tài)（quiescent state）：在放大電路中，輸入端未加輸入信號（ ）時的工作狀態(tài)稱為放大電路的靜態(tài)。 E50602020001
43 靜態(tài)工作點（quiescent operating point）：靜態(tài)時，在晶體管的輸入特性和輸出特性上所對應(yīng)的工作點，用Q表示。E50602020002
44 靜態(tài)分析（quiescent state analysis）：確定放大電路的靜態(tài)工作點，即確定電路中靜態(tài)的相關(guān)參數(shù)。E50602020003
45 動態(tài)（dynamic state）：在放大電路中，輸入端加入輸入信號（ ）時的工作狀態(tài)稱為放大電路的動態(tài)。E50602030001
46 動態(tài)分析（dynamic state analysis）：確定放大電路的相關(guān)動態(tài)參數(shù)，如電壓放大倍數(shù) 、輸入電阻和輸出電阻 等。E50602030002
47 輸入電阻 （input resistance）：放大電路對信號源（或?qū)η凹壏糯箅娐罚﹣碚f是一個負載，它可以用一個等效電阻來替代，這個等效電阻就是放大電路的輸入電阻。輸入電阻是一個動態(tài)電阻。E50602030101
48 輸出電阻 （output resistance）：放大電路對負載（或?qū)蠹壏糯箅娐罚﹣碚f，可以等效為一個電源模型，該電源模型的內(nèi)阻定義為放大電路的輸出電阻。輸出電阻是一個動態(tài)電阻。E50602030102
49 電壓放大倍數(shù) （voltage amplification factor）：電壓放大倍數(shù)是衡量放大電路放大輸入信號能力的基本參數(shù)，定義為輸出電壓與輸入電壓之比，即 。E50602030103
50 開環(huán)（open-loop）：輸出信號對輸入不存在任何作用時電路所處的狀態(tài)稱為開環(huán)。E50603020102
51 閉環(huán)（closed-loop）：輸出信號對輸入存在作用時電路所處的狀態(tài)稱為閉環(huán)。E50603020103
52 增益（gain）：輸出信號與輸入信號之比的模量稱為增益。包括電流增益、電壓增益和功率增益等。工程上常用以10為底的對數(shù)表達，其單位為分貝（dB）。E50602030104
53 失真（distortion）：輸出信號的波形未能*復(fù)現(xiàn)輸入信號的波形的現(xiàn)象稱為失真。E50602020201
54 非線性失真（nonlinear distortion）：由元器件的非線性引起的失真稱為非線性失真，其特點是產(chǎn)生新的頻率。在放大電路中，非線性失真主要指由于靜態(tài)工作點不合適或者信號太大，使放大電路的工作范圍超出了晶體管線性區(qū)所產(chǎn)生的失真，包括截止失真和飽和失真。E50602020202
由于晶體管的截止引起的非線性失真稱為截止失真（cut-off distortion）。
由于晶體管的飽和引起的非線性失真稱為飽和失真（saturation distortion）。
55 交越失真（crossover distortion）：在乙類互補功放電路里,兩個功放管交替工作，在信號過零前后功放管靜態(tài)工作電流接近零，功放管進入截止區(qū)，由此造成的輸出波形失真稱為交越失真。E50602070301
56 效率（efficiency）：輸出功率與輸入功率之比的百分數(shù)稱為效率。E50602070202
57 圖解法（graphical analysis）：在晶體管輸入、輸出特性曲線上，通過圖解分析放大電路的工作狀態(tài)和性能參數(shù)的方法，稱為圖解法。E50602020203
61 耦合（coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間的連接稱為耦合。E50602060101
62 阻容耦合（resistance-capacitance coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間通過電阻、電容連接的方式稱為阻容耦合。E50602060102
63 變壓器耦合（transformer coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間通過變壓器傳遞信號的方式稱為變壓器耦合。E50602060103
64 直接耦合（direct coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間直接連接的方式稱為直接耦合。E50602060104
65 光電耦合（photoelectric coupling）：利用光電效應(yīng)進行放大器之間信號傳遞的方式稱為光電耦合。E50602060105
66 光電效應(yīng)（photoeffect）：指可見光、紅外線或紫外線在某些物質(zhì)上照射而引起的電子發(fā)射的過程。例如某些半導(dǎo)體材料受到光照時，其材料的電導(dǎo)率顯著增加。E50602060106
67 零點漂移（zero drift）：零點漂移是指在放大電路中，當輸入端無輸入信號時，輸出端的電壓受外界因素影響偏離初始值，在初值上下漂動的（不穩(wěn)定的）現(xiàn)象，簡稱零漂。E50603010101
70 虛短（virtual short）：工作在線性區(qū)域的集成運算放大器，其兩個輸入端之間的電壓通常接近于零，即同相端的電位近似等于反相端的電位，這種近似短接，其實并未短接的現(xiàn)象稱為虛短路，簡稱“虛短”。E50603010302
71 虛地（virtual ground）：工作在線性區(qū)域的反相輸入運算放大器，因同相輸入端接地，根據(jù)“虛短”的結(jié)論，其反相輸入端的電位接近于“地”電位，其實并未接地，將這種現(xiàn)象稱之為“虛地”。E50603010303
72 虛斷（virtual break）：工作在線性區(qū)域的理想運算放大器，由于其輸入電阻無窮大，同相輸入端和反相輸入端的輸入電流幾乎為零，這種相當于斷路，其實并不能斷路的狀態(tài)稱之為“虛斷”。E50603010304
74 集成運算放大器（operational amplifier）：一種增益*的多級直接耦合放大器，是一種重要模擬集成電路。E50603010102
84 復(fù)合晶體管（compound-connected transistor）：將兩只或多只三極管的電極通過適當連接，作為一個管子來使用，即組成復(fù)合晶體管，或稱達林頓（Darlington）管。E50602070203
85 自激振蕩（oscillation）：當放大電路的輸入端無外加信號，而它的輸出端仍有一定頻率和幅度的信號輸出，這種現(xiàn)象稱為自激振蕩。工程上常利用正反饋產(chǎn)生自激振蕩。E50604010001
86 選頻網(wǎng)絡(luò)（frequency-selective network）：利用網(wǎng)絡(luò)的諧振特性，將信號中與網(wǎng)絡(luò)諧振頻率相等的成分輸出給負載，而將其他頻率的信號加以抑制，具有該功能的網(wǎng)絡(luò)稱為選頻網(wǎng)絡(luò)。E50604010101
87 夾斷電壓 （pinch-off voltage）：在漏源電壓為某一定值的條件下，耗盡型MOS管中，使漏電流等于某一微小值時，柵—源極間所加的偏壓就是夾斷電壓。增強型MOS管無此參數(shù)。E50601040301
88 開啟電壓 （threshold voltage）：在漏源電壓為某一定值的條件下，增強型MOS管開始導(dǎo)通（漏電流出現(xiàn)）的zui小的柵源電壓值就是開啟電壓。耗盡型MOS管無此參數(shù)。E50601040302
89 飽和漏極電流 （saturation drain current）：耗盡型MOS管在柵源電壓為零（即 ）的條件下，管子發(fā)生預(yù)夾斷時的漏極電流稱為飽和漏極電流。增強型MOS管無此參數(shù)。E50601040303
90 低頻跨導(dǎo) （low-frequency transconductance）：在低頻條件下，在漏源電壓為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量（）與引起這個變化的柵源電壓微變量（ ）之比稱為跨導(dǎo)，即 。E50601040304
91 N溝道（N-channel）：通常把P型襯底表面形成的N型薄層稱為反型層，該反型層形成漏、源之間的N型導(dǎo)電溝道，簡稱N溝道。E50601040102
92 P溝道（P-channel）：通常把N型襯底表面形成的P型薄層稱為反型層，該反型層形成漏、源之間的P型導(dǎo)電溝道，簡稱P溝道。E50601040103
93 增強型場效應(yīng)管（enhancement type FET）：指一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，在其柵壓為零時漏極電流為零，即沒有導(dǎo)電溝道。依靠外加?xùn)艍旱恼蛟黾?，形成感生溝道，使漏極電流逐漸增加。這種導(dǎo)電溝道從無到有的過程稱為增強。具有這種工作特點的場效應(yīng)晶體管稱為增強型場效應(yīng)管。E50601040104
94 耗盡型場效應(yīng)管（depletion type FET）：指一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，在其柵壓為零并且漏極電壓一定時，就有較大的漏極電流，即存在導(dǎo)電溝道。隨外加?xùn)艍旱姆聪蛟黾樱O電流逐漸減小。這種導(dǎo)電溝道從有到無的性質(zhì)稱為耗盡。具有這種工作特點的場效應(yīng)晶體管稱為耗盡型場效應(yīng)管。E50601040105
95 轉(zhuǎn)移特性（transfer characteristics）：轉(zhuǎn)移特性表征了在一定的下，與之間的關(guān)系：它是柵源電壓 對漏極電流 的控制作用的體現(xiàn)。E50601040201
96 電力電子技術(shù)（power electronics）：電力電子技術(shù)是一門介于電力、電子和自動控制三大技術(shù)領(lǐng)域之間的邊沿學(xué)科，或者說是以電力為對象的電子技術(shù)。它是利用電力半導(dǎo)體器件進行電能變換和控制的技術(shù)，其應(yīng)用已滲透到國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域。E50606000001
97 晶閘管（thyristor）：又稱可控硅整流器（SCR），是一種大功率的四層三端半導(dǎo)體器件，習(xí)慣叫做可控硅。后又派生的器件如快速可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅。所有這些器件統(tǒng)稱為晶體閘流管，簡稱晶閘管。通常所說的可控硅就是普通晶閘管，所有派生器件則屬于特殊晶閘管。E5060601000198 可控整流（controlled rectification）：在晶閘管承受正向電壓的時間內(nèi)，通過改變觸發(fā)脈沖相位從而改變晶閘管的導(dǎo)通角來控制整流輸出電壓的大小，這種整流方式稱為可控整流。