三元核殼結(jié)構(gòu)CuInS2/ZnS量子點(diǎn)

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三元核殼結(jié)構(gòu)CuInS2/ZnS量子點(diǎn)

量子點(diǎn)由于的量子尺寸效應(yīng)、介電限域效應(yīng)、表面效應(yīng)等，具有與塊體半導(dǎo)體不同的光學(xué)性能。被用于納米探測(cè)器－、生物標(biāo)記、光電器件以及太陽能電池等領(lǐng)域。其中CdSe量子點(diǎn)因其較小的帶隙能（2.24eV),的可調(diào)控發(fā)光區(qū)域而被研究。

CdSe/ZnS量子點(diǎn)的：

ZnS殼層前驅(qū)體溶液：將0. 1363g（1mmol)ZnCl2粉體溶解于100mL去離子水，逐滴加入0. 3mL巰基乙酸TGA，并用1. 0 mol·L的NaOH 溶液調(diào)節(jié)pH至目標(biāo)值。攪拌30min后，溶液中加入0. 24g（1 mmol)Na,S·9H20完成殼層前驅(qū)體溶液的制備。在已的CdSe量子點(diǎn)溶液中注入殼層前驅(qū)體溶液，并在100℃條件下回流不同時(shí)間，得到不同粒徑尺寸的CdSe/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)。

結(jié)論:CdSe量子點(diǎn)呈閃鋅礦結(jié)構(gòu)，隨著ZnS殼層的包覆，譜峰向ZnS晶體特征峰偏移。CdSe量子點(diǎn)于500nm處出現(xiàn)吸收肩峰，于644nm處出現(xiàn)缺陷發(fā)光峰，且隨著回流時(shí)間的延長(zhǎng)，缺陷發(fā)光峰無變化，并于577nm處逐漸出現(xiàn)本征發(fā)光峰。包覆ZnS殼層后大，譜峰紅移。

相關(guān)產(chǎn)品：

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