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FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積
  • FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

貨物所在地：北京北京市

更新時(shí)間：2025-01-10 14:58:04

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FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設(shè)備也變得更大，需要越來(lái)越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開(kāi)發(fā)串集的PECVD 設(shè)備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

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FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加，其製造設(shè)備也變得更大，需要越來(lái)越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開(kāi)發(fā)串集的PECVD 設(shè)備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 非晶矽前驅(qū)物（a-Si）。

  • 氮化矽 (SiNx)。

  • 氧化矽，矽烷基(SiOx)。

  • 氧化矽，TEOS (SiOx)。


配置和優(yōu)點(diǎn)選件

  • 客製化基板尺寸最大為550 x 650 mm2(玻璃)。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

  • 每個(gè)製程腔內(nèi)最多可加裝7組氣體管線。

  • 遠(yuǎn)程電漿進(jìn)行腔體清潔。

  • 穩(wěn)定的溫度控制，可將基板加熱到380°C。

  • Cassette傳送站。

  • TEOS沉積製程。

  • OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。




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