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更新時(shí)間:2025-01-10 14:55:29
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原子層沉積系統(tǒng)ALD 用於薄膜沉積的原子層沉積是基於順序使用氣相化學(xué)過(guò)程的最重要技術(shù)之一;它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積(CVD)。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)(稱為前驅(qū)物,也稱為“反應(yīng)物")。這些前驅(qū)物以一種連續(xù)的且自我限制的方式,一次與一種材料的表面反應(yīng)。通過(guò)多個(gè)ALD循環(huán),薄膜被緩慢沉積。 ALD為製造半導(dǎo)體元件的重要製程,並且是可用於合成納米材料主要工具的一部分。
原子層沉積系統(tǒng)ALD具有許多優(yōu)點(diǎn),例如出色的均勻性,在複雜形狀的基板表面上沉積的具有相同膜厚的膜保形性,低溫處理。因此,ALD被應(yīng)用於微電子,納米技術(shù)和生物技術(shù)領(lǐng)域中,這些領(lǐng)域經(jīng)常在有機(jī)和生物樣品之類的軟基底。上工作。
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