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DP-T2B半導(dǎo)體管特性圖示儀可根據(jù)需要測量半導(dǎo)體MOS管，二極管、三極管，可控管等的低頻直流參數(shù)，大集電極電流可達50A，基本滿足功率500W以下的半導(dǎo)體管的測試。
半導(dǎo)體管特性圖示儀 型號：DP-T2B
* DP-T2B半導(dǎo)體管特性圖示儀可根據(jù)需要測量半導(dǎo)體MOS管，二極管、三極管，可控管等的低頻直流參數(shù)，大集電極電流可達50A，基本滿足功率500W以下的半導(dǎo)體管的測試。
* 本儀器還附有高壓的測試裝置，可對5000V以下的半導(dǎo)體管進行擊穿電壓及反向漏電流測試，
其測試電流靈敏度達到0.5uA/度。
* 本儀器所提供的基極階梯信號還具有脈沖階梯輸出，因此可擴大測量范圍及對二次擊穿的測量。
*本儀器帶階梯偏置電壓(△VB)，-6V～+6V連續(xù)可調(diào)。適宜大功率VMOS管測試。
1.集電極電流偏轉(zhuǎn)系數(shù)
a)集電極電流范圍(Ic)：1μA/度～5A/度。按1、2、5進制分21檔級，各檔誤差不大于3％。
b)二極管電流范圍(ID) ：1μA/度～500μA/度。1、2、5進制分9檔，各檔誤差不大于3％。
c)集電極電流及二極管電流倍率×0.5，誤差不大于10％。
d)基極電流或基極源電壓0.1V/度，誤差不大于3％。
2.集電極電壓偏轉(zhuǎn)系數(shù)
a)集電極電壓范圍(Uc)： 10mV/度～50V/度。按1、2、5進制分21檔級，各檔誤差不大于3％。
b)二極管電壓范圍(UD)： 100V/度～500V/度。按1、2、5進制分3檔級，各檔誤差不大于10％。
c)基極電壓范圍(UBE)：10mV/度～1V/度按1、2、5進制分7檔級，各檔誤差不大于3％。
d)基極電流或基極源電壓:：0.05V/度，誤差不大于3％。
3.基極階梯信號
a)階梯電流范圍(IB)： 1uA/度～200mA/度。按1、2、5進制分17檔級，各檔誤差不大于5％。
b) 階梯電壓范圍(UB)： 50mV/度～1V/度。按1、2、5進制分5檔級，各檔誤差不大于5％。
c) 串聯(lián)電阻：0Ω、10KΩ、100KΩ，各檔誤差不大于10％。
d) 階梯波形：分正常（100）及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調(diào)節(jié)范圍為10～40%。
e) 每簇級數(shù)：0～10級，連續(xù)可調(diào)。
f) 階梯偏置電壓(△VB)：-6V～+6V，連續(xù)可調(diào)。
g) 階梯作用：分重復(fù)、關(guān)、單次三檔級。
h) 階梯輸入：分正常、零電流、零電壓三檔級。
i) 階梯極性：分正、負二檔。
4. 集電極掃描電壓
a) 輸出電壓與檔級：
0～10V 正或負連續(xù)可調(diào)
0～50V 正或負連續(xù)可調(diào)
0～50V 正或負連續(xù)可調(diào)
0～100V 正或負連續(xù)可調(diào)
0～500V 正或負連續(xù)可調(diào)
b) 輸出電流容量： 0～10V 50A（脈沖階梯工作狀態(tài)時）
0～10V 20A（平均值）
0～50V 10A（平均值）
0～100V 5A （平均值）
0～500V 0.5A（平均值）
c) 功耗限制電阻： 0～500KΩ 按1、2、5進制分20檔級，各檔誤差不大于10％。
d) 整流方式： 全波
e) 輸出極性： ＋，－
f) 集電極容性電流； 平衡后不超過2uA（10V檔）
g) 集電極漏電流； 平衡后不超過2uA（10V檔）
5. 二極管測試裝置
a) 輸出電壓： 0～5000V 正向連續(xù)可調(diào)
b) 輸出電流容量： 大為5mA
c) 整流方式： 半波
6. 其他
a)適配器 (測直插式元器件)
高壓測試座、三極管測試座、 3根測試線
b) 重量 約30kg。
c)外形尺寸
300mm×408mm×520mm（W×H×D）。
d)功耗： 非測試狀態(tài)時： 約80VA；
大功率時： 約300VA。
e) 輸入電壓： 220V±10％；
f) 頻率： 50HZ±5％。
g) 示波管： 有效工作面8×10cm。
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