單絲和單縫衍射實驗儀 型號；DP-FD-OE-5
單絲、單縫和小孔衍射實驗是校理科基本光學實驗之。本儀器用半導體激光器為光源，觀察單絲、單縫和圓孔的夫瑯和費衍射現(xiàn)象，以及絲徑、縫寬、孔徑的變化對衍射的影響，加深對光的衍射理論的理解，并利用衍射花樣測定單絲的直徑和單縫寬度。
單絲和單縫衍射實驗儀 型號；DP-FD-OE-5
單絲、單縫和小孔衍射實驗是校理科基本光學實驗之。本儀器用半導體激光器為光源，觀察單絲、單縫和圓孔的夫瑯和費衍射現(xiàn)象，以及絲徑、縫寬、孔徑的變化對衍射的影響，加深對光的衍射理論的理解，并利用衍射花樣測定單絲的直徑和單縫寬度。單絲和單縫衍射實驗儀 型號；DP-FD-OE-5本儀器有以下優(yōu)點：
1．光具座用強度優(yōu)質鋁合金材料制成，表面經(jīng)陽氧化處理，儀器重量輕，體積小，經(jīng)久耐用，不生銹，使用壽命長。
2．配有各種直徑的單絲(包括支架)、小孔和不同縫寬的單縫，觀察各種衍射現(xiàn)象，物理現(xiàn)象明顯。采用非接觸測量方法，測量金屬絲直徑和細縫縫寬的準確度較。
3．光具座的滑塊可離開導軌自由在桌面上移動，以增加白色象屏與單絲(或單縫)距離，用米尺可準確測出它們之間距離(滑塊與導軌經(jīng)專門)。
應用本儀器可以成以下實驗：
1．用于基礎物理實驗作光衍射實驗用。
2．作性與綜合性學生物理實驗。
3．可用于課堂光衍射實驗及自學物理實驗。
型號；DP-FD-OE-5儀器主要參數(shù)：
1．光具座 底座長度50.0cm，其分度值1mm，底座質量2.5Kg。（長度可定做）
2．滑塊三只，滑塊側面有專門刻線，便于測量屏到縫的直線距離。
3．單絲、小孔和狹縫支架個。
4．半導體激光器及電源，激光波長650nm，激光器作直流電壓3V。
太陽能電池特性測定儀 型號；DP-FD-OE-4
能源的重要性人人皆知，為了經(jīng)濟持續(xù)發(fā)展及環(huán)境保護，人們正大量開發(fā)其它能源如水能、風能及太陽能的利用。其中以硅太陽能電池作為綠色能源其開發(fā)和利用大有發(fā)展前景。本儀器提供的實驗，意在提學生對太陽能電池的特性的認識，學習研究太陽能電池的基本光電特性，學會電學與光學的些重要實驗方法及數(shù)據(jù)處理方法。儀器具有以下優(yōu)點： 1.采用強度優(yōu)質鋁合金材料制成，表面經(jīng)陽氧化處理,儀器重量輕、體積小、耐用、不會生銹，使用壽命長。采用數(shù)字式光率計測量光強，測量結果穩(wěn)定可靠。2.有黑色遮光罩擋光，可在明光及通風條件下做光學實驗，在同實驗室各組實驗互不干擾。
應用本儀器可以成以下實驗：
1．在沒有光照時，太陽能電池作為個二器件，測量在正向偏壓時該二器件的伏安特性曲線，并求出其正向偏壓時，電壓與電流關系的經(jīng)驗公式。
2．測量太陽能電池的短路電流、開路電壓、zui大輸出率及填充因子。
3．測量太陽能電池的短路電流、開路電壓與相對光強的關系，求出它們的近似函數(shù)關系。
本儀器可用于校、中專、職?；A物理實驗及性、研究性的物理實驗，也可用于物理奧林匹克競賽培訓用。
儀器主要參數(shù)：
1．光具座 鋁合金制，標尺長80.0cm，分度值1mm，燕尾形凸形導軌結構。
2．滑塊二塊 燕尾形凹滑塊結構，鋁合金制。
3．光源 率40W射燈形結構。
4．帶探測器數(shù)字式光率計 量程有200uW和2mW二檔，三位半液晶顯示
固體介質折射率測定儀 型號；DP-FD-OE-3
折射率是反映介質光學性質的重要參數(shù)之。本儀器采用的實驗方法，在光學測量中具有典型性和基本要求的特點。用測布儒斯特角的方法測量透明介質的折射率及利用測量激光照射半導體薄片的反射系數(shù)方法，測量分半導體如硅、砷化鎵等介質的折射率。本儀器具有體積小，重量輕，調節(jié)方便，裝置牢靠，實驗數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠等優(yōu)點。本儀器可用于基礎物理實驗，性與研究性物理實驗及物理奧林匹克競賽培訓實驗用。本儀器具有以下優(yōu)點：
1.采用強度優(yōu)質鋁合金材料制成，表面經(jīng)陽氧化處理 ,儀器重量輕、體積小、耐用、不會生銹，使用壽命長。
2.帶有刻度的轉盤經(jīng)心和，轉動輕巧靈活，讀數(shù)準確。
3.采用數(shù)字式光率計測量偏振光光強，測量結果穩(wěn)定可靠。
4.有黑色遮光罩擋光，可在明光及通風條件下做光學實驗，在同實驗室各組實驗互不干擾。
應用本儀器可以成以下實驗：
1. 光的偏振現(xiàn)象的觀察和分析，加深對光偏振規(guī)律的認識。掌握獲得線偏振光的知識及確定偏振片偏振方向的方法。
2. 用布儒斯特定律，測量對可見光透明固體材料的折射率。
3．通過測量偏振光二個分量入射到介質上反射光的反射系數(shù)，測量半導體硅等材料的折射率。
儀器主要參數(shù)：
1. 半導體激光器 波長650nm，率 1.5-2.0mW，作電壓3V。
2. 轉盤 直徑為2.0cm，可調范圍0-360°，分度值1°。
3．水平光學轉臺 可 0-360゜轉動，分度值 1°。
4．數(shù)字式光率計 量程有200uW和2mW二檔，三位半液晶顯示
型模擬斷路器 模擬斷路器 型號：DP-GC-MY
模擬斷路器主要用于電力系統(tǒng)斷電保護裝置或成套繼電保護屏的整組試驗，可真實地模擬斷路器的跳合閘時間。在整組試驗時模擬壓斷路器的跳閘及合閘，以避免由于重復的整組試驗成斷路器反復分合帶來的不良影響。
參數(shù)
◎ 供電電源AC200V±10%；
◎ 跳合閘操作為電源電壓：DC220V、DC110V；
◎ 跳合閘阻抗選擇400Ω、200Ω、110Ω；
◎ 合閘時間選擇：20-200ms；
◎ 跳閘時間選擇：20-100ms；
◎ 模擬斷路器常閉/常開接點容量為AC220V/5A。
主要特點
該斷路器采用數(shù)字電路，時間為數(shù)字撥碼設置，可實現(xiàn)模擬斷路器跳合閘時間設置、三相/分相操作選擇、輸入信號邏輯控制等能，從而模擬斷路器的跳、合閘動作。
譜儀/譜儀 型號:DP-821C
DP-821C型新譜儀是臺電化學分析儀器，可分別記錄電流--電位曲線、半微分曲線、1.5次微分曲線、2.5次微分曲線及電流--時間曲線；可行單掃、循環(huán)伏安、溶出法、記時電流法測定，也可作為壓液相色譜和毛細管電泳電流檢測器。
標：
* 掃描幅度：-2.5V～+2.5V
* 起始電位：-2.5V～+2.5V
* 電流量程：10 pA～20 mA
* 富集時間：0.1～9.9 min
* 檢測下限：陰：5×10-8 mol/L
溶出法：10-11mol/L
* 外形尺寸：440×320×130(mm)
* 重 量：6 kg
* 耗：50 W
特點：
* 方法豐富 組合選
* 寬幅量程 檢測限低
* LED顯示 直觀方便
* 選 性能可靠
廣泛應用于化、地質、環(huán)保、衛(wèi)生、科研、大專院校等。
注:產(chǎn)品詳細介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對應的
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