摘要采用激光誘導(dǎo)擊穿光譜法(LIBS)對(duì)共蒸發(fā)法制備的涂Mo鈉鈣玻璃上的CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)吸收層進(jìn)行了元素分析。研究了LIBS檢測(cè)1.23μm厚的CIGS吸收層的激光和檢測(cè)參數(shù)。Ga/In比值與x射線熒光和電感耦合等離子體發(fā)射光譜測(cè)量的濃度比值的校準(zhǔn)結(jié)果具有良好的線性關(guān)系。

介紹了LIBS法在CIGS吸收層材料成分分析中的應(yīng)用。使用Nd:YAG激光器LIBS檢測(cè)CIGS薄膜的z+u+i優(yōu)檢測(cè)條件為激光脈沖能量0.9mJ，光斑直徑150μm，門延遲為0.7μs，門寬為3 μs。測(cè)定的Ga/In比值LIBS信號(hào)與Ga濃度呈良好的線性關(guān)系。盡管XRF或ICP-OES測(cè)量的參考濃度值存在不確定性，但這些初始數(shù)據(jù)表明LIBS可以作為CIGS太陽(yáng)能電池行業(yè)中實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)材料成分的一種可行技術(shù)。通過使用已知成分的樣品，可以降低參考濃度的不確定度。