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（國(guó)外進(jìn)口）Al2O3+GaN薄膜
  • （國(guó)外進(jìn)口）Al2O3+GaN薄膜

貨物所在地：安徽合肥市

更新時(shí)間：2025-01-22 21:00:06

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（國(guó)外進(jìn)口）Al2O3+GaN薄膜

產(chǎn)品名稱：

AL2O3+GaN 薄膜（進(jìn)口料）

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

MOCVD方法制作AL2O3為襯底的GaN外延薄膜。國(guó)外進(jìn)口材料，品質(zhì)優(yōu)質(zhì)，歡迎選購(gòu)。

技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱:

GaN <0001> 厚度4.5um

GaN <0001> 厚度2um ，3um

摻雜類型:

N /Si

P/Mg

常規(guī)尺寸：

dia2" +/-0.25mm；

dia2" +/-0.25mm；

電阻:

2.5E-3ohm-cm

2.0-5.0

載流子濃度：

1E19/cc

/


產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)規(guī)格：dia2″

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋或單片盒包裝

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