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InP晶體基片
  • InP晶體基片

貨物所在地:安徽合肥市

更新時間:2025-01-22 21:00:06

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磷化銦(InP)晶體基片


產(chǎn)品名稱:

磷化銦(InP)晶體基片


技術(shù)參數(shù):

單晶

InP

摻雜

None;Sn;S;Fe:Zn

硬度

3.0莫氏硬度

密度4.78 g/cm3

導電類型

N;N;N;Si;P

折射率3.45

載流子濃度cm-3

1-2x1016     1-3x1018
1-4x1018     .6-4x1018

位錯密度cm-2

<5x104

生長方法

LEC

溫度1072℃

彈性模量

7.1E11dyn  Cm-2

產(chǎn)品規(guī)格:

標準尺寸:<100>, dia2"x0.5mm,單拋;

          <100>, 10x10x0.5mm,單拋;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋封裝


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