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高溫真空管式爐廠家介紹：
這款CVD系統(tǒng)集真空管式爐，多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成，可根據(jù)用戶需要設計生產(chǎn)（有雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)），可預抽真空（有高真空、低真空），通多種氣氛（供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量器和浮子流量控制器）。性能可靠?？刂齐娐愤x用模糊PID程控技術，具有控溫精度高，溫沖幅度小，性能可靠，簡單易操作等特點。CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。CVD真空管式爐CVD真空管式爐CVD真空管式爐
高真空管式爐 | 爐管尺寸 | 外徑Φ60×1000mm,Φ80×1000mm,Φ100×1000mm |
極限溫度 | 1700 ℃ | |
工作溫度 | 800 -1600 ℃ | |
溫度控制器 | PID自動控制 晶閘管（可控硅）輸出功率， 50段可編程控制器 | |
zui快升降溫速率 | 1400℃以下≤10℃/min，1400℃到1600℃≤5℃/min | |
加熱區(qū) | 360mm | |
恒溫區(qū) | 150mm | |
溫度精度 | ±1 ℃ | |
電源 | 單相220V,交流50Hz | |
多通道流量計控制系統(tǒng) | 標準量程 | 100，200 ，500，1000SCCM； （以氮氣標定，除以上標準外量程可選） |
準確度 | ±1.5% | |
工作壓差范圍 | 0.01～0.05 MPa | |
zui大壓力 | 0.02MPa | |
接頭類型 | Φ6雙卡套不銹鋼接頭 | |
高真空系統(tǒng) | 泵體積流量N2 | 33 L/S |
壓縮比 | 10:11 | |
實驗真空值 | 6.7*10-3Pa | |
功率消耗 | 140W | |
啟動時間 | 2min | |
電源要求： | 185-265VAC |
本公司可定制各種CVD系統(tǒng)。
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