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紅外光譜橢偏儀IRSE是專業(yè)為半導體材料薄膜測量設計的紅外橢偏儀,紅外光譜橢圓偏振儀（IRSE),表征材料特性，包括結構參數(shù)，如層厚度、界面特性、表面粗糙度和污染物的存在。
紅外光譜橢偏儀紅外光譜橢圓偏振儀測量紅外范圍內光的偏振態(tài)變化，IRSE可以提取關鍵的光學信息，如所研究材料的折射率、消光系數(shù)和光學常數(shù)。
此外，紅外光譜橢圓偏振儀（IRSE）還可以提供對材料電性能的見解。通過分析在紅外范圍內獲得的橢圓偏振數(shù)據(jù)，可以提取有關材料電導率或電阻率的信息，這對于研究導電薄膜、摻雜半導體或金屬層特別有用。
紅外光譜橢偏儀有可能收集有關被分析材料的化學信息。通過檢查紅外光譜中的吸收帶，可以識別樣品中存在的特征振動模式和化學鍵，有助于材料識別、成分分析和化學表征。
紅外光譜橢偏儀將光譜橢圓偏振計的功能擴展到紅外波長范圍，從而可以對材料進行全面表征。它能夠確定結構參數(shù)、光學性質、電導率，甚至化學信息。通過利用材料在紅外范圍內的du特行為，紅外光譜橢圓偏振儀（IRSE）為廣泛的應用提供了有價值的見解，包括材料科學、薄膜研究、半導體開發(fā)和化學分析。
紅外光譜橢圓偏振儀（IRSE）的測量原理涉及以各種入射角將紅外光引導到樣品表面并分析反射光。測量了橢圓偏振參數(shù)，如反射光的p偏振和s偏振分量之間的振幅比（Ψ）和相位差（Δ）。
然后將紅外光譜橢圓偏振儀（IRSE）獲得的數(shù)據(jù)與包含樣品光學特性和層厚度的模型進行比較。通過擬合過程，調整模型參數(shù)，直到計算出的橢圓參數(shù)與實驗值相匹配。這允許確定樣品的光學常數(shù)和層特性。
材料在紅外波度較為特殊,比如非摻雜半導體在紅外區(qū)域通常是透明的，可以在吸收效應干擾***小的情況下分析其光學特性。另一方面，電介質在紅外范圍內具有特征吸收帶，這可以提供有關其組成和分子結構的有價值的信息。金屬和摻雜半導體表現(xiàn)出所謂的德魯?shù)挛瘴玻@是由這些材料中的自由電子響應引起的。
紅外光譜橢偏儀產(chǎn)品特色
易于使用基于Windows的軟件；面向高級用戶的科學模式和面向日常操作的操作員模式
可變入射角（VASE，可變入射角光譜橢圓偏振儀）
用戶可定義分辨率
基于FTIR技術的快速測量
綜合光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫和模型配方
**的TFProbe軟件允許用戶使用NK表、分散體或EMA混合物/復合材料定義層，并具有指數(shù)分級和表面/界面粗糙度。。。
可升級和可重新配置，有各種選項和配件
具有連續(xù)動態(tài)對準的邁克爾遜干涉儀，具有長期穩(wěn)定性
長壽命紅外光源
紅外光譜橢偏儀典型應用
薄膜表征：確定半導體行業(yè),光學和表面涂層等各個領域薄膜的厚度、折射率和成分。
化學分析：測量有機材料、聚合物和生物分子的分子結構和組成的信息。
表面和界面研究：理解表面和界面的性質，包括它們的粗糙度、吸附和厚度。
材料研發(fā)：研究新材料及其光學性能，從而*化材料合成和加工方法。
散裝材料：玻璃、PET、摻雜硅
硅外延層：
摻雜剖面
薄外延層（<1um）
低對比度N-/N外延層
半導體外延層（GaAs、Insb、SiC、SiGe、CdHgTe等）
介電薄膜特性
FPD應用的硅層
a-Si:H工藝質量監(jiān)測（CVD、ELA工藝）
SiN層中Si-H和N:H的相對含量
ITO薄膜：光學和電學特性
BPSG、PSG：硼和磷濃度
低k材料：
有機低k材料。
確定厚度和光學常數(shù)
計算碳含量（%C）。
測定退火前后的含水量
SiOC:H：碳含量和孔隙率。
多孔SiO2：厚度、孔隙率、含水量。
溝槽、高架橋、凹槽和淺溝槽隔離（STI）
SOI光波導：厚度測量。
紅外光譜橢偏儀性能參數(shù)
光譜范圍：350-7400 cm-1
光譜分辨率：0.5-32 cm-1
波長精度：*于0.01 cm-1
掃描速度：0.158–6.28厘米/秒
光斑尺寸：1-5mm
入射角：20°至90°，步進5°
測量時間：5秒/站點到幾分鐘，用戶可定義
測量精度：*于1?（熱SiO2/Si材料）