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多波長激光直寫光刻機是的多波長激光光刻機，它提供325nm,375nm,405nm,445nm紫外光源對光刻膠直寫或紫外敏感膠直接刻劃獲得微納結構，直寫面積高達12英寸，zui小特征尺寸（寬度）可達1微米，適合掩膜，半導體，玻璃，晶體，薄膜等諸多襯底。
多波長激光直寫光刻機提供豎直和掃描直寫模式，確保直接軌跡偏離小于100nm。微型激光直寫光刻機具有電動光學聚焦系統(tǒng)，提供快速精準的聚焦功能，從而適合各種厚度襯底的要求，并具有晶圓裝載和卸載系統(tǒng)裝備到襯底室供客戶選配，增強清潔程度，提高工作量和用戶安全程度。
兼容大多數(shù)商用光刻膠，比如SU8，shipley, AZ等，我們還對K-CL膠特別優(yōu)化，用于微結構應用。
多波長激光直寫光刻機特色
非常緊湊的桌面型設計
掩膜制作和激光直寫
激光光源375nm 或405nm 任選
兼容所有商用光刻膠
對比度高達1x20
自動聚焦
豎直直寫或掃描直寫模式
多波長激光直寫光刻機參數(shù)
直線直寫速度：高達350mm/s
位移臺分辨率：100nm
重復精度：100nm
晶圓直寫面積：1-12英寸
襯底厚度：250um-10mm
激光光斑大?。?.5um-100um
標準準直精度：500nm