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國產(chǎn)高精度單晶硅壓力變送器
新一代單晶硅壓力變送器，其單晶硅是硅的單晶體，具有金剛石晶格，采用切、磨、拋、光刻、鍵合、膜屏蔽等*的工藝技術(shù)和流程，對敏感元件加工。產(chǎn)品優(yōu)勢顯著。
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
國產(chǎn)高精度單晶硅壓力變送器
特點
新一代單晶硅壓力變送器，其單晶硅是硅的單晶體，具有金剛石晶格，采用切、磨、拋、光刻、鍵合、膜屏蔽等*的工藝技術(shù)和流程，對敏感元件加工。產(chǎn)品優(yōu)勢顯著。
的抗*力。立格單晶硅壓力變送器全隔離封裝，將單晶硅敏感元件絕緣安裝在傳感器膜盒內(nèi)部，具有避免測量和環(huán)境溫度變化、電氣干擾、機(jī)械振動的影響。
出色的高頻響應(yīng)能力。單晶硅本身屬性，固有諧振頻率超過500Hz，壓力傳遞到敏感元件上，立即被感應(yīng)被轉(zhuǎn)換為信號輸出，整體響應(yīng)時間不超過5mS，適合高頻動態(tài)場合應(yīng)用。
強(qiáng)大抗過載能力。立格單晶硅壓力變送器具有雙過載保護(hù)技術(shù)，中心膜片和隔離膜片組成雙過載保護(hù)。縱然壓力過載，*的結(jié)構(gòu)也不會讓填充液再傳遞給敏感元件，從而實現(xiàn)過載保護(hù)。并且恢復(fù)正常后不影響測量。
高精度傳輸。傳感器模塊化結(jié)構(gòu)，所有計算數(shù)據(jù)均保留于傳感器膜盒內(nèi)部自帶內(nèi)存中，在后續(xù)生產(chǎn)和維修時，變送模塊讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)，能實現(xiàn)高精度輸出。
國產(chǎn)高精度單晶硅壓力變送器
優(yōu)勢
曾經(jīng)流行的傳統(tǒng)電容壓力變送器，雖然各彼表廠努力改進(jìn)性能，一度因為選用選用性價比高的隔離型變送模塊，備受市場矚目。主要從改良金屬電容抗*力，可惜與外部短接的結(jié)構(gòu)缺陷，無法*改變。全隔離的單晶硅傳感器在抗干擾方面優(yōu)勢巨大。
相對用戶規(guī)模大的經(jīng)濟(jì)型擴(kuò)散硅壓力變送器，單晶硅壓力變送器在微差壓狀態(tài)下，其優(yōu)勢顯示出*之勢。在現(xiàn)場工況環(huán)境苛刻的背景下，單晶硅壓力變送器優(yōu)勢不容替代。是流程工業(yè)領(lǐng)域壓力變送器革新性產(chǎn)品。
