真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing
- 公司名稱 普邁精醫(yī)科技(北京)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2025/2/27 16:09:46
- 訪問次數(shù) 5
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,能源,電子,綜合 |
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鈣鈦礦單結(jié)太陽能電池設(shè)備和整線解決方案
提供從設(shè)備配置、技術(shù)服務(wù)、到量產(chǎn)工藝優(yōu)化,以及質(zhì)量控制的全過程解決方案,滿足包含從300mmx300mm到1200mmx2400mm尺寸的全產(chǎn)品線,滿足CE/UL標準,承諾PCE 20%@300mmx300mm電池組件、PCE 18%@0.6mx1.2m電池組件。
鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池設(shè)備和整線解決方案
在單結(jié)鈣鈦礦太陽能電池設(shè)備配置的基礎(chǔ)上,提供一步涂布法或干濕兩步法的鈣鈦礦/晶硅疊層電池制備工藝,包含從182mmx182mm到210mmx210mm尺寸的全產(chǎn)品線,滿足CE/UL標準,承諾高電池效率。
產(chǎn)品介紹:
狹縫涂布設(shè)備 Slot-Die
技術(shù)特點:
多段式供液,涂布膜層均勻性高
通過3個激光傳感器,實現(xiàn)快速自動對刀、防撞刀
搭配高精度注液泵
可采用鈣鈦礦溶劑驗收
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技術(shù)參數(shù):
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真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing
技術(shù)特點:
集成閃蒸和退火工藝,成膜環(huán)境和成膜過程高度可控
大面積樣品退火受熱均勻,保證相變一致性
快速去除濕膜中的殘余溶劑,均勻的過飽和
變頻調(diào)速羅茨泵實現(xiàn)抽氣速率可控
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技術(shù)參數(shù):
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激光劃刻設(shè)備 Laser Scriber
技術(shù)特點:
P1、P2、P3飛秒、皮秒紅外激光可選
高度定制化,膜面/玻璃面劃刻可選,平頂光斑可選
精度高,具備逐線功能,線間距小
工藝成熟,邊緣光潔,無火山環(huán)及毛邊
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蒸鍍設(shè)備 Evaporation System
技術(shù)特點:
多源共蒸,實現(xiàn)大面積鍍膜
熱場和溫控精確
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技術(shù)參數(shù):
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原子層沉積設(shè)備 Atomic Layer Deposition
技術(shù)特點:
精確控制薄膜厚度
薄膜均勻性高
溫控精度高
全自主工藝腔室設(shè)計,空間型和時間型可選,多片和單片可選
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技術(shù)參數(shù):
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磁控濺射設(shè)備 Sputtering System
技術(shù)特點:
工藝穩(wěn)定性高
自研氧化鎳反應(yīng)濺射控制器
ITO/NiOx靶采用圓柱靶,靶材利用率高
靶-基距可調(diào),低損傷TCO導(dǎo)電膜鍍膜
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技術(shù)參數(shù):
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