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氮化鎵電阻率方阻測試儀

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公司成立于2021年,是一家注冊在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售于一體,主要攻克國外壟斷技術(shù),替代進(jìn)口產(chǎn)品,使半導(dǎo)體材料測試設(shè)備國產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率(霍爾)測試儀、少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計經(jīng)驗,申請各項知識產(chǎn)權(quán)20余項,已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場口碑。





晶圓電阻率測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測試儀,少子壽命測試儀

價格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,電氣,綜合

氮化鎵電阻率方阻測試儀介紹:

氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙較寬,為3.4eV,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。其次,氮化鎵具有優(yōu)良的電子遷移率和電子飽和漂移速度,這使得它在射頻和微波電子器件中具有出色的性能,例如5G通信系統(tǒng)中的射頻功率放大器。

氮化鎵晶體的晶格結(jié)構(gòu)可以描述為每個鎵原子周圍環(huán)繞著四個氮原子,而每個氮原子周圍也被四個鎵原子包圍。這種結(jié)構(gòu)稱為閃鋅礦結(jié)構(gòu)或者螺旋狀烯結(jié)構(gòu),它是由鎵原子和氮原子所構(gòu)成的共價鍵和離子鍵交替排列而成。

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