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Genesis ALD 原子層沉積ALD

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
產(chǎn)品標(biāo)簽

ALDBeneq原子層沉積半導(dǎo)體

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測試儀表及相關(guān)儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實驗室整體服務(wù)。

公司目前已授實用新型權(quán)利 29 項,軟件著作權(quán) 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

 

 

 

 

 

 

 

 

冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

價格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子,電氣,綜合

1.市場和應(yīng)用:

用于電池、太陽能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層。 Genesis ALD 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。

各種類型鋰離子和固態(tài)電池的陰和陽的鈍化

用于柔性太陽能電池的導(dǎo)電層和封裝

用于柔性電子產(chǎn)品的防潮層

2.材料選擇:

多種 ALD 材料可供選擇,可滿足您的要求。 多年來,Beneq 一直是用于研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)的卷對卷原子層沉積系統(tǒng)的先驅(qū)。我們的常用材料包括 Al?O?、TiO?、ZnO、ZnS、SiO? 或可根據(jù)要求提供的任何其他材料。

3.功能亮點

卷筒紙寬度:大420mm

ALD鍍膜厚度:大100nm

動態(tài)沉積速率 Al2O3): 10 nm *m/min

過程溫度:高 250°C

4.定制:

在大420mm的卷筒紙寬度下,Genesis ALD適用于實驗室研發(fā)或中試規(guī)模生產(chǎn)。 設(shè)計用于將 ALD 薄膜處理到聚合物或金屬等柔性基材上。通過與我們的合作伙伴 E+R Group合作,我們?yōu)榭蛻籼峁└鼘挼木硗布埡蜕a(chǎn)線集成的可選設(shè)計。




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