是德科技B1505A半導(dǎo)體分析儀+N1265A

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深圳佳捷倫電子儀器有限公司

聯(lián)系：曾佳  135=3063=4716

地址：深圳市龍崗區(qū)平新北路163號(hào)廣弘星座B棟12樓

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B1505A+N1265A可在高達(dá) 3000 V 直流偏置時(shí)執(zhí)行全自動(dòng)電容測(cè)量（Ciss、Coss、Crss 等）

10 μs 高功率脈沖測(cè)量封裝器件和晶圓上 IGBT/FET 柵極電荷測(cè)量高電壓/強(qiáng)電流快速切換選件，適用于 GaN 電流崩塌效應(yīng)表征多達(dá) 5 個(gè)高電壓（3 kV）電源/測(cè)量通道，提供大的靈活性通過互鎖測(cè)試夾具執(zhí)行安全的與溫度相關(guān)的測(cè)試

主要特性與技術(shù)指標(biāo)

廣泛的工作條件與精密測(cè)量功能相結(jié)合

適合功率器件表征的綜合解決方案，高達(dá) 1500 A 和 10 kV

中等電流測(cè)量和高電壓偏置（例如，500 mA，1200 V）

μΩ 導(dǎo)通電阻測(cè)量功能

高電壓偏置時(shí)，可進(jìn)行精確的 sub-pA 電平電流測(cè)量

在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 溫度范圍內(nèi)進(jìn)行全自動(dòng)熱測(cè)試

廣泛的器件測(cè)量功能

可在高達(dá) 3000 V 直流偏置時(shí)執(zhí)行全自動(dòng)電容測(cè)量（Ciss、Coss、Crss 等）

10 μs 高功率脈沖測(cè)量

封裝器件和晶圓上 IGBT/FET 柵極電荷測(cè)量

高電壓/強(qiáng)電流快速切換選件，適用于 GaN 電流崩塌效應(yīng)表征

多達(dá) 5 個(gè)高電壓（3 kV）電源/測(cè)量通道，提供大的靈活性

通過互鎖測(cè)試夾具執(zhí)行安全的與溫度相關(guān)的測(cè)試

改進(jìn)的測(cè)量效率

在高電壓和強(qiáng)電流測(cè)量之間自動(dòng)切換，無需重新布線

自動(dòng)測(cè)試電路形成，可用于封裝器件和晶圓上器件的晶體管結(jié)電容（Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等）測(cè)量

具有互鎖機(jī)制的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試夾具，可進(jìn)行封裝功率器件測(cè)試

支持高達(dá) 200 A 和 10 kV 的高功率晶圓上測(cè)試

示波器視圖支持對(duì)應(yīng)用電壓和電流波形的驗(yàn)證

MS Windows EasyEXPERT 軟件簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)管理和分析流程

可升級(jí)和可擴(kuò)展的硬件體系結(jié)構(gòu)

廣泛的測(cè)量模塊選擇

支持具有高達(dá) 6 個(gè)連接引腳的高功率器件

備注：

我們的優(yōu)勢(shì)：

品種齊全，貨源充足，存庫雄厚，服務(wù)快捷，維修能力強(qiáng)

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我公司對(duì)銷售的儀器儀表均負(fù)責(zé)保修一年

本公司長(zhǎng)期供應(yīng)/租賃/維修二手進(jìn)口儀器

注：因網(wǎng)站價(jià)格限制問題，發(fā)布的價(jià)格不代表最終價(jià)格