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FPSEM-STE3N III族氮化物分子束外延系統(tǒng)
- 公司名稱 孚光精儀(中國)有限公司
- 品牌 孚光精儀
- 型號(hào) FPSEM-STE3N
- 產(chǎn)地 www.felles.cn/mbe.html
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/12/16 9:29:17
- 訪問次數(shù) 757
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這款III族氮化物分子束外延系統(tǒng)專業(yè)為A3N材料生長設(shè)計(jì)的MBE設(shè)備,適合氨氣高溫下制備生長A3N半導(dǎo)體材料,提供非常廣泛的可用生長參數(shù)(有效氮通量、襯底溫度、生長過程中的真空度)。III族氮化物分子束外延系統(tǒng)設(shè)計(jì)在襯底上提供*的溫度(>1200℃)以及在長生長周期中加熱階段的可靠工作。利用氨作為活性氮源,可以生長出高質(zhì)量、厚的AlN/AlGaN緩沖層。這項(xiàng)技術(shù)的結(jié)果是生長出位錯(cuò)密度極低的活性層,為分子束外延(MBE)創(chuàng)造了記錄。
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)系列有兩種(STE3N2)和三種(STE3N3)基本類型,配備有緩沖準(zhǔn)備室。除了NH3注入器外,III族氮化物分子束外延系統(tǒng)還可能配備氮等離子體源(可選),用于生長InGaN、InAlN和InAlN的活性層藻類:MgIn與氨水混合。
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)采用襯底支架和生長操縱器的加熱臺(tái)的patent設(shè)計(jì),用于III氮化物生長的所有類型襯底(藍(lán)寶石、SiC、Si、AlN)提供了非常高的加熱均勻性。允許最大襯底直徑100mm,用于基礎(chǔ)和應(yīng)用研發(fā)以及基于III型氮化物的高質(zhì)量外延片的試生產(chǎn)。
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)主要特點(diǎn):
•特殊的先進(jìn)設(shè)計(jì)和經(jīng)批準(zhǔn)的生長反應(yīng)器,在NH3環(huán)境和jiduan基質(zhì)溫度下提供關(guān)鍵系統(tǒng)組件的長期可靠運(yùn)行
•超大液氮冷凍板,用于有效的氨氣泵送,在高NH3負(fù)荷下提供連續(xù)生長
•patent鋁源,特殊設(shè)計(jì),延長使用壽命,在氨氣環(huán)境下提供超過2μm/h的AlN生長速率,無金屬蠕變
•能夠生長質(zhì)量與在不匹配襯底上生長的MOCVD層相當(dāng)?shù)?/span>GaN外延層
•在系統(tǒng)基本配置中對(duì)生長過程進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)的所有必要工具
•獲得patent的基板支架設(shè)計(jì),在整個(gè)晶圓上提供高溫均勻性
•高溫生長操縱器,在不低于1200°С的生長溫度下提供高質(zhì)量AlN層的連續(xù)生長
•在210-135 mm范圍內(nèi)改變“源-基”距離的能力,以使用不同類型的電池和晶片OD優(yōu)化均勻性
•STE3N2雙腔型緊湊型“封裝外形”
•安裝期間的有效技術(shù)支持,包括基本工藝轉(zhuǎn)移
•簡(jiǎn)單的系統(tǒng)操作和定期的技術(shù)維護(hù)
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)主要選項(xiàng):
•準(zhǔn)備室,帶有用于基板支架(7個(gè))和脫氣臺(tái)的存儲(chǔ)盒,原子氫源專用端口
•額外的滲出細(xì)胞(5、15、25、35、60 cc的坩堝)
•附加PID調(diào)節(jié)器電源單元
•射頻等離子體氮源,帶有帶MFC的氮?dú)夤?yīng)管線
•SiH4氣體噴射器和帶MFC的氣體供應(yīng)管線
•Bayard-Alpert型束流監(jiān)測(cè)器(BFM)
•在渦輪泵中提供額外的原子基底,以及分子泵制備
•帶電源裝置的鈦升華泵
•額外的基板支架,包括用于非標(biāo)準(zhǔn)尺寸樣品的適配器
•系統(tǒng)運(yùn)行的起始材料(Ga、Al、In、NH3、N2、Si、Mg、鈦金屬化藍(lán)寶石晶片等)
•基于相分離器的液氮供應(yīng)系統(tǒng)
•額外的備件和附件套件
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)參數(shù):
烘烤后生長室的最終真空度,Torr | <5×10-11 |
最大基板直徑,mm | 100 |
3″基板的厚度和成分不均勻度,% | ±1 |
生長機(jī)械手加熱元件的設(shè)計(jì) | PBN/PG/PBN |
最大基板表面溫度,℃ | 1200 |
生長室壓力,Torr: –基板溫度為970°С,氨流量為400 sccm –基底溫度為1200°С,氨流量為100 sccm –基底溫度為500°С,氨流量為1000 sccm | <1×10-5 <5×10-6 <1×10-5 |
生長幾何學(xué) | 可調(diào),“源到基片”距離135-210 mm |
集成分析 | RHEED、BFM(可選)、RGA、激光干涉儀、紅外高溫計(jì) |
制備室中基板退火的最高溫度,不低于,℃ | 1100 |
最大氨工作流量,sccm | 100 |
生長室的烘烤溫度,不低于,℃ | 200,無熱點(diǎn)形成 |
工藝過程自動(dòng)化 | 操作員通過控制界面進(jìn)行手動(dòng)控制或通過配方執(zhí)行工藝 |