*材料在微納米尺度物理缺陷和化學(xué)成分差異將對(duì)宏觀性能產(chǎn)生重大影響，材料科技工作者需要從微納米尺度掌握材料物理缺陷形成、成分差異演變、晶體結(jié)構(gòu)組成的一般規(guī)律。針對(duì)這樣的課題，使用掃描電鏡（SEM）平臺(tái)配套EDS/WDS/EBSD觀察分析是科學(xué)的解決方案。

掃描電子顯微分析裝置EmCrafts電鏡附件常用的分析附件，使用Si半導(dǎo)體晶體對(duì)元素特征X射線展譜，自1970年代商品化以來(lái)，技術(shù)性能不斷進(jìn)步，當(dāng)前技術(shù)，可在分秒間對(duì)微納米尺度成分差異做出準(zhǔn)確判斷。分析報(bào)告包括材料微觀圖像和不同微觀區(qū)域化學(xué)成分，全元素構(gòu)成，元素百分比以及測(cè)量方差。
    WDS作為早配合電子束探測(cè)材料微區(qū)元素組成的X射線分光儀器，特征X射線能量分辨率5-10電子伏，對(duì)微量成分定性定量精度比EDS提高一個(gè)數(shù)量級(jí)，目前在半導(dǎo)體，電子材料，地質(zhì)礦物和特殊合金研究中廣泛使用，但波譜分析逐個(gè)元素進(jìn)行定量，比較耗時(shí)，對(duì)電子束束流穩(wěn)定性提出更高要求。

    EBSD，采用高能背散射電子，對(duì)樣品剖面做晶體衍射，從而獲得微區(qū)晶體結(jié)構(gòu)，取向，分布定性定量結(jié)果。在金屬、陶瓷和地質(zhì)學(xué)分析顯微結(jié)構(gòu)及織構(gòu)中使用越來(lái)越廣泛。

掃描電子顯微分析裝置EmCrafts電鏡附件，均采用專業(yè)級(jí)電子顯微成像技術(shù)，專業(yè)設(shè)計(jì)電子顯微分析附件探測(cè)器接口，優(yōu)化探測(cè)器幾何探測(cè)效率，是優(yōu)良的掃描電子顯微分析平臺(tái)。

Cube-200桌面臺(tái)式電鏡，可拓展簡(jiǎn)單易用的臺(tái)式電鏡能譜儀（EDS） ；

Genesis-I型分析電鏡，可拓展專業(yè)級(jí)X-ray能譜儀，定量更精；    

Genesis-II型分析電鏡，可拓展專業(yè)EDS、WDS、EBSD裝置、CL等多種電子顯微分析附件。

Veritas-300型分析電鏡，具有大型樣品觀察分析倉(cāng)，可裝備更多電子顯微分析附件和微操作樣品臺(tái)。