產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀

半導(dǎo)體分立器件測試篩選系統(tǒng)

靜態(tài)測試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）

動態(tài)測試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）

環(huán)境老化測試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）

熱特性測試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）

可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

ST-HTXB_X   功率器件環(huán)境老化試驗臺

可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的

HTRB（高溫反偏）、HTGB（高溫柵偏）、H3TRB（高溫高濕反偏）

?產(chǎn)品簡述
    該試驗系統(tǒng)是依據(jù) GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 標(biāo)準(zhǔn)要求對器件測試，將柵極與發(fā)射極短接，在集電極與發(fā)射極間加上設(shè)定的直流電壓，同時檢測直流電壓與漏電流的值。測試需有傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫，并可通過軟件輸入模塊結(jié)殼熱阻，結(jié)合產(chǎn)生的耗散功率，當(dāng)溫度與漏電流超過設(shè)定值后，切斷電源，給出警告信號。此設(shè)備是電力電子器件環(huán)境老化測試的重要檢測設(shè)備，用于驗證*穩(wěn)定情況下器件的漏電流。系統(tǒng)大測試電壓5000V（可擴(kuò)展至10KV）。可以實現(xiàn)對IGBT器件集電極-發(fā)射極電壓Vce、集電極發(fā)射極電流Ices、殼溫Tc 、時間等各項參數(shù)的檢測，根據(jù)程序設(shè)定自動完成測試，記錄保存測試數(shù)據(jù)并且可以瀏覽和導(dǎo)出。

測試夾具采用氣動控制單面加熱型。工作時通過溫控儀和其他控制系統(tǒng)設(shè)定溫度和時間，具備自動檢測溫度、超溫報警、超壓報警、過流保護(hù)及安全連鎖、緊停等功能，異常時切斷主電源

?產(chǎn)品簡述
? 可以通過計算機設(shè)定試驗參數(shù)（Vce、Ices、Tc、時間、采樣周期）和監(jiān)控參數(shù)（Vce、Ice、Tc、T，實時采集并記錄試驗過程中每個工位的溫度（Tc）、時間、電壓、漏電流等，并可隨時瀏覽數(shù)據(jù)。

? 當(dāng)被測器件失效時（Ices超限），系統(tǒng)能自動檢測、報警，并可及時切斷高壓電源（不需要中斷加熱），停止試驗，該失效點的詳細(xì)數(shù)據(jù)會被記錄下來，并記錄失效時間節(jié)點。

? 試驗數(shù)據(jù)保存可以設(shè)定保存的時間間隔，設(shè)定時間范圍為：10s-600s，但當(dāng)器件檢測失效時，可以自動保存失效前至少一個采樣時間周期的詳細(xì)數(shù)據(jù)，有助于對器件失效進(jìn)行分析。

? 該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結(jié)果，并可以將測試結(jié)果轉(zhuǎn)換為“EXCEL”并保存。

? 安全防護(hù)1：該設(shè)備具有超溫保護(hù)、安全聯(lián)鎖等。

? 安全防護(hù)2：配備獨立于溫控系統(tǒng)的干觸點超溫保護(hù)裝置，在電路的發(fā)熱位置配溫度傳感器，一旦有異常超溫現(xiàn)象，發(fā)出警報并自動切斷設(shè)備電源。

? 安全防護(hù)3：設(shè)備操作門配有安全連鎖開關(guān)，操作面板配置急停開關(guān)，保證測試及設(shè)備維護(hù)時人員安全。

?電氣原理圖
依據(jù)GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 對器件進(jìn)行測試。原理圖如下所示

     說明：將被測IGBT柵極與發(fā)射極短接，在集電極與發(fā)射極間加上設(shè)定的直流電壓，同時檢測直流電壓與漏電流的值，輸出給隔離板并反饋給計算機，來顯示實時的電壓和電流值。測試過程中有溫度傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫，通過模擬隔離板后反饋給計算機實時溫度。

其中，被測兩端的電壓可以通過計算機程序控制輸出給高壓直流電源。漏電流和溫度的保護(hù)值可以通過計算機程序設(shè)定，如達(dá)到設(shè)定保護(hù)值，設(shè)備控制系統(tǒng)保護(hù)，并通過計算機程序主頁面下的故障顯示和面板保護(hù)指示燈顯示。

?參數(shù)指標(biāo)