電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡是由德國PANCO公司與德國宇航中心聯(lián)合研發(fā)的熱電材料精細(xì)測(cè)量設(shè)備，該設(shè)備主要用來測(cè)量熱電材料中電勢(shì)和塞貝克系數(shù)的二維分布情況。集成化、自動(dòng)化的設(shè)計(jì)方案使系統(tǒng)使用非常方便。的穩(wěn)定性和可靠性彰顯了傳統(tǒng)德國制造業(yè)的良品質(zhì)。全新推出的第二代電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡（PSM II）在第yi代的基礎(chǔ)上具有更高的位置分辨率和更高的測(cè)量精度。

應(yīng)用域：

1、熱電材料，超導(dǎo)材料，燃料電池，導(dǎo)電陶瓷以及半導(dǎo)體材料的均勻度測(cè)量

2、測(cè)量功能梯度材料的梯度

3、觀察材料退化效應(yīng)

4、監(jiān)測(cè) NTC/PTC 材料的電阻漂移

5、固體電介質(zhì)材料中的傳導(dǎo)損耗

6、陰材料的電導(dǎo)率損耗

7、GMR 材料峰值溫度的降低，電阻率的變化

8、樣品的質(zhì)量監(jiān)控

產(chǎn)品點(diǎn)：

+  唯yi可以精確測(cè)量Seebeck系數(shù)二維分布的商業(yè)化設(shè)備。

+  精確的力學(xué)傳感器可以確保探針與樣品良好的接觸。

+  采用鎖相技術(shù)，精度超過大型測(cè)試設(shè)備。

+  快速測(cè)量、方便使用，可測(cè)塊體和薄膜。

主要技術(shù)參數(shù)：

+  位置定位精度：單向 0.05 μm；雙向 1 μm

+  大掃描區(qū)域：100 mm × 100 mm 典型值

+  局部測(cè)量精度：5 μm（與該區(qū)域的熱傳導(dǎo)有關(guān)）

+  信號(hào)測(cè)量精度：100 nV（采用高精度數(shù)字電壓表）

+  測(cè)量結(jié)果重復(fù)性：重復(fù)性誤差于3%

+  塞貝克系數(shù)測(cè)量誤差：< 3% (半導(dǎo)體)；< 5% (金屬)

+  電導(dǎo)率測(cè)量誤差： < 4%

+  測(cè)量速度：測(cè)量個(gè)點(diǎn)的時(shí)間4-20秒

系統(tǒng)組成：

+  三矢量軸定位平臺(tái)及其控制器

+  定位操縱桿

+  加熱、測(cè)溫探針

+  力學(xué)接觸探測(cè)系統(tǒng)

+  模擬多路器

+  數(shù)字電壓表

+  鎖相放大器

+  攝像探測(cè)系統(tǒng)

+  帶有控制軟件和數(shù)據(jù)接口的計(jì)算機(jī)

+  樣品臺(tái)與樣品夾具

測(cè)試數(shù)據(jù)

1、塞貝克系數(shù)測(cè)量

Bi2Te2.85Se0.15梯度材料表面的塞貝克系數(shù)分布（數(shù)據(jù)來源，PANCO實(shí)驗(yàn)室）

2、接觸電阻測(cè)量

存在界面的樣品通過該設(shè)備還可以測(cè)量出界面處的接觸電阻。通過測(cè)量電阻率隨針尖位置的變化，可以得到樣品界面處的接觸電阻。

接觸電阻可以通過連續(xù)測(cè)量界面兩側(cè)的電勢(shì)分布計(jì)算得到，圖中ΔR正比于接觸電阻。（數(shù)據(jù)來源，PANCO實(shí)驗(yàn)室）

部分用戶名單：  

Beijing University of Technology

Corning Company

Korea Research Institute of Standards and Science

Shanghai Institute of Ceramics, CAS

Germany Air Force Research Lab

Simens Company

Gwangju Institute of Science and Technology

Hamburg University

Munich University